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首页> 外文会议>Advances in Resist Technology and Processing XXIII pt.1 >Self Assembly in Semiconductor Microelectronics: Self-Aligned Sub-Lithographic Patterning Using Diblock Copolymer Thin Films
【24h】

Self Assembly in Semiconductor Microelectronics: Self-Aligned Sub-Lithographic Patterning Using Diblock Copolymer Thin Films

机译：半导体微电子中的自组装：使用双嵌段共聚物薄膜的自对准亚光刻图案

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Self-assembling diblock copolymer thin films are an intriguing possible photolithography alternative for high-resolution patterning of advanced integrated circuit device elements. Cylindrical- and lamellar-phase materials spontaneously form patterns suggestive of contact-hole arrays and transistor gates at critical dimensions below 20nm. Besides high resolution, any serious lithographic process requires a means of pattern registration, and we discuss our efforts to develop self-aligned self assembly techniques using diblock copolymer materials. We describe the critical role of polymer surface interactions in affecting self-assembled pattern orientations. Control and design of surface properties allow precise registration of sub-20nm polymer domains to larger-scale lithographic layers.
机译：自组装二嵌段共聚物薄膜是用于高级集成电路器件元件的高分辨率图案化的引人入胜的可能的光刻替代方法。圆柱相和层状相材料自发地形成图案，表明在低于20nm的临界尺寸处有接触孔阵列和晶体管栅极。除了高分辨率之外，任何严肃的光刻工艺都需要一种图案套准的方法，我们讨论了使用二嵌段共聚物材料开发自对准自组装技术的努力。我们描述了聚合物表面相互作用在影响自组装图案取向中的关键作用。表面特性的控制和设计允许将20nm以下的聚合物域精确地对准较大规模的光刻层。

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