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首页> 外文会议>Advances in Resist Technology and Processing XXIII pt.1 >The deprotection reaction front profile in model 193 nm methacrylate-based chemically amplified photoresists
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The deprotection reaction front profile in model 193 nm methacrylate-based chemically amplified photoresists

机译：193 nm基于甲基丙烯酸酯的化学放大光致抗蚀剂中的脱保护反应前轮廓

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An understanding of acid diffusion-reaction in chemically amplified photoresists during the post-exposure bake (PEB) is critical for both critical dimension (CD) and line edge roughness (LER) control. Despite its importance, there remains insufficient understanding of the diffusion-reaction process. This is due in part to the complex interplay between diffusion and reaction where the deprotection of the resin modifies the local acid diffusivity which in turn changes the rate of deprotection. Here, we report the direct measurement of the reaction diffusion front at a model line edge from neutron reflectivity and Fourier transform infrared spectroscopy measurements. The photoacid generator size influences the reaction extent and breath of the deprotection profile. A larger photoacid results in a sharper deprotection profile and a shorter reaction length. Under the same post-exposure bake time and temperature, the smaller photoacid leads to a much broader deprotection profile. These measurements illustrate the complexity of the reaction-diffusion process.
机译：曝光后烘烤（PEB）期间对化学放大光致抗蚀剂中酸扩散反应的理解对于控制关键尺寸（CD）和线边缘粗糙度（LER）都是至关重要的。尽管它很重要，但对扩散反应过程的理解仍然不足。这部分是由于扩散和反应之间的复杂相互作用，其中树脂的脱保护改变了局部酸的扩散率，继而改变了脱保护的速率。在这里，我们报告了根据中子反射率和傅立叶变换红外光谱测量值在模型线边缘对反应扩散前沿的直接测量。光酸产生剂的大小影响脱保护曲线的反应程度和呼吸。较大的光酸可导致更清晰的脱保护曲线和较短的反应时间。在相同的曝光后烘烤时间和温度下，较小的光酸会导致更宽的脱保护曲线。这些测量结果说明了反应扩散过程的复杂性。

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