Praxair Electronics, Indianapolis, IN;
机译:Cu / SiO_2杂化键合中具有1.8μm铜焊盘和3.6μm间距的Cu凹陷的Cu CMP工艺开发和表征
机译:Cu / SiO_2混合粘合中的1.8μmCu垫Cu CMP工艺开发和Cu凹陷和3.6μm间距的表征
机译:CMP垫在CMP中从铜中取出保护材料的效率
机译:一种新型旋转垫材料,用于改善Cu CMP的寿命
机译:用于铜CMP的聚氨酯垫中的纳米磨料保留和去除机理。
机译:用于Cu /ultra-low-к材料化学机械平面化的柔性纳米刷垫
机译:电流密度对Cu Ecmp中材料去除的影响
机译:改进橡胶履带板的材料开发。