RD management headquarters, Electronic Materials Research Laboratories, FUJIFILM CO., LTD, 4000 Kawashiri Yoshida-cho, Haibara-gun, Shizuoka, 421-0396, JAPAN;
RD management headquarters, Electronic Materials Research Laboratories, FUJIFILM CO., LTD, 400;
EUV lithography; chemically amplified resist; sensitivity; photoacid generator; polymer matrix;
机译:抵抗材料设计以提高EUV光刻的分辨率和灵敏度
机译:高敏感性抗蚀性,对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述
机译:使用EUV光刻技术的hp 2x-nm设备的抗蚀剂材料和工艺的进展
机译:抗蚀材料设计,提高EUV光刻敏感性
机译:新型树枝状聚合物作为下一代光刻的抗蚀剂材料的设计,合成和评估。
机译:高敏感性抗蚀性对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述
机译:高敏感性抗蚀性,对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述