• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Conference on Optical Microlithography XV Pt.2, Mar 5-8, 2002, Santa Clara, USA >Reduction of Reflective Notching Through Illumination Optimization
【24h】

Reduction of Reflective Notching Through Illumination Optimization

机译：通过照明优化减少反射缺口

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Photolithography on reflective surfaces with topography can cause exposure in unwanted areas, resulting in the phenomenon of reflective notching. Solutions to this problem are known within the industry, including the use of bottom anti-reflective coatings (ARCs) and dyed photoresist. In certain situations, such as on implant layers, the use of a BARC may be impractical. One potential solution to this problem lies in optimization of the illumination settings. It is known that changes in the illumination settings NA and sigma have an impact on the swing curve amplitude. It will be shown that for certain situations, reflective notching can be virtually eliminated through proper selection of the illumination settings.
机译：具有形貌的反射表面上的光刻可能会导致不必要区域的曝光，从而导致反射凹口现象。该问题的解决方案在行业内是已知的，包括使用底部抗反射涂层（ARC）和染色的光刻胶。在某些情况下，例如在植入物层上，使用BARC可能不切实际。解决该问题的一种潜在解决方案是优化照明设置。众所周知，照明设置NA和sigma的变化会影响摆动曲线的幅度。可以看出，在某些情况下，可以通过适当选择照明设置来消除反射凹口。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号