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首页> 外文会议>Conference on Optical Microlithography XV Pt.2, Mar 5-8, 2002, Santa Clara, USA >Simulation and Characterization of Silicon Oxynitrofluoride films as a Phase Shift Mask Material for 157 nm Optical Lithography
【24h】

Simulation and Characterization of Silicon Oxynitrofluoride films as a Phase Shift Mask Material for 157 nm Optical Lithography

机译：157nm光学光刻中用作相移掩膜材料的氧氧化氮氟硅薄膜的模拟和表征

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Silicon oxynitrofluoride has been studied as a new candidate material for High Transmittance Attenuated Phase Shift Mask (HT-Att-PSM). The requirements of HT-Att-PSM are 20+5% transmittance and 180°phase shift at the exposure wavelength (157 nm) and less than 40% transmittance at the inspection wavelength (193 nm). Si-O-N-F films were deposited with the change of process parameters such as gas flow rate and deposition time to find optimum conditions to meet above requirements. In this study, effects of process parameters on the optical properties of Si-O-N-F films were examined. To satisfy the requirements of HT-Att-PSM, a new mask structure was suggested and analyzed.
机译：氧硝基氟硅已被研究为高透射率衰减相移掩模（HT-Att-PSM）的新候选材料。 HT-Att-PSM的要求是在曝光波长（157 nm）下具有20 + 5％的透射率和180°相移，而在检查波长（193 nm）下则小于40％的透射率。沉积Si-O-N-F膜时会改变工艺参数，例如气体流速和沉积时间，以找到满足上述要求的最佳条件。在这项研究中，研究了工艺参数对Si-O-N-F薄膜光学特性的影响。为了满足HT-Att-PSM的要求，提出并分析了一种新的掩模结构。

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