• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Conference on Photomask and Next-Generation Lithography Mask Technology IX, Apr 23-25, 2002, Yokohama, Japan >Processing Techniques in the Manufacture of 100nm Node and Below Inspection Test Reticles
【24h】

Processing Techniques in the Manufacture of 100nm Node and Below Inspection Test Reticles

机译：100nm节点及以下检验测试掩模版制造中的处理技术

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Manufacturing technology in the photomask process is critical for building devices of today's specifications. However, when building masks for equipment suppliers, it is necessary to provide capability at least two years in advance of current requirements. Of particular interest are masks used to characterize and benchmark inspection tools. This paper demonstrates and compares the mask processing capabilities of 50keV e-beam writing platforms in the effort to build a new inspection test mask pattern. Both standard and OPC patterns will be examined to understand the impact of each to the mask manufacturer. In addition to 50keV e-beam platforms, complementary high-end process and metrology tools will be utilized and reported.
机译：光掩模工艺中的制造技术对于构建当今规格的设备至关重要。但是，在为设备供应商制造口罩时，必须至少提前两年提供功能。特别令人感兴趣的是用于表征和测试工具基准的掩模。本文演示并比较了50keV电子束写入平台的掩模处理能力，以努力构建新的检验测试掩模图案。将同时检查标准图案和OPC图案，以了解每种图案对掩模制造商的影响。除了50keV电子束平台之外，还将利用和报告互补的高端工艺和计量工具。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号