National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) Energy Electronics Institute Central 5, 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki 305-8565, Japan;
机译:立方萤石基(YO1.5 sub>)x sub>(WO3 sub>)0.15 sub>(BiO1.5 sub>)0.85- sub的晶体结构和电导率> x sub>(0≤x≤0.4)固溶体
机译:立方萤石(YO_(1.5))_ x(WO_3)_(0.15)(BiO_(1.5))_(0.85-x),(0x0.4)固溶体的晶体结构和电导率
机译:通过简单的计算优化固溶体的电子能带结构和晶格热导率:Mg2Si1-x-yGexSny三元固溶体的典范实例
机译:ZrO_2-CEO_2-YO_(1.5)固体溶液的电子和空穴电导率
机译:二氧化铈基固溶体的离子和电子电导率的研究。
机译:单个原子分离的淀粉样晶体的固有电子电导率揭示了通过酪氨酸跳跃的微米长孔
机译:在溶胶-凝胶法制备的固体电解质Li1.5Al0.5Ti1.5(PO4)3中从晶界锂离子电导率中分离体积
机译:La(2-x)m(x)CuO4和YBa2Cu3O(7-y)中高温超导的线性电子 - 空穴 - 电子对模型:2,超导转变温度对压力和孔浓度的依赖性