University of Vale do Paraíba/Laboratory of Nanotechnology and Plasmas Processes Av. Shishima Hifumi São José dos Campos SP 12244-000 Brazil;
University of Vale do Paraíba/Laboratory of Nanotechnology and Plasmas Processes Av. Shishima Hifumi São Jo;
Nanotubes; Plasmas; Aluminum oxide; Radio frequency; Atomic layer deposition; Temperature measurement;
机译:等离子增强原子层沉积生长的ZnO薄膜:“原子层沉积窗口”内外的材料特性
机译:原子层沉积和等离子体增强原子层沉积Ta_2O_5的比较研究以及对原位氮化的电性能的影响
机译:通过原子层沉积和等离子体增强原子层沉积沉积的Ta_2O_5薄膜的纳米化学,纳米结构和电学性质
机译:等离子增强原子层沉积在室温下沉积铜种子层
机译:用于直接板衬和铜扩散阻挡层应用的钌-氮化钛混合相层的等离子体增强原子层沉积。
机译:等离子体增强原子层沉积法原位形成SiO2中间层的HfO2 / Ge叠层的界面电和能带对准特性
机译:氧化镍:通过等离子体增强的镍氧化镍的原子层沉积电子堵塞和氧进化催化剂层(ADV。母体。接口16/2018)