QuaSiC Smart-Cut~(~R) Substrates for SiC High Power Devices

著录项

• 来源
  《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》|2001年|p.151-154|共4页
• 会议地点 Tsukuba(JP);Tsukuba(JP)
• 作者

  F. Letertre; E. Jalaguier; L. Di Cioccio; F. Templier; J.M. Bluet; C. Banc; I. Matko; B. Chenevier; E. Bano; G. Guillot; T. Billon; B. Aspar; R. Madar; B. Ghyselen;

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• 作者单位

  SOITEC S.A., Parc Technologique des Fontaines, FR-38190 Bernin, France;

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• 会议组织
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 无线电电子学、电信技术;
• 关键词

  4H-SiC; SiC CVD epitaxy; smart-cut~(~R); tungsten silicide; wafer bonding;

  机译：4H-SiC; SiC CVD外延;智能切割〜（〜R）;硅化钨;晶圆键合;