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International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan
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1.
SiO_2 as Oxygen Source for the Chemical Vapor Transport of SiC
机译:
SiO_2作为SiC化学气相迁移的氧源
作者:
C. Jacquier
;
G. Ferro
;
F. Cauwet
;
Y. Monteil
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
chemical vapor transport;
epitaxy;
SiO_2;
thermodynamic simulation;
2.
Structural Defects in Electrically Degraded 4H-SiC PiN Diodes
机译:
电降解4H-SiC PiN二极管的结构缺陷
作者:
P.O.A. Persson
;
H. Jacobson
;
J.M. Molina-Aldareguia
;
J.P. Bergman
;
T. Tuomi
;
W.J. Clegg
;
E. Janzen
;
L. Hultman
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
electron microscopy;
stacking faults;
structural defects;
synchrotron topography;
3.
Scanning Acoustic Microscopy in Porous SiC
机译:
多孔SiC中的扫描声显微镜
作者:
S. Ostapenko
;
M.C.D. Smith
;
I. Tarasov
;
J.T. Wolan
;
M. Mynbaeva
;
J. Goings
;
J.C.P. McKeon
;
S.E. Saddow
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
porous SiC;
reflection;
ultrasonic pulses;
4.
Scanning Capacitance Microscopy of SiC Multiple PN Junction Structure Grown by Cold-Wall Chemical Vapor Deposition
机译:
冷壁化学气相沉积法生长的SiC多PN结结构的扫描电容显微镜
作者:
J. Suda
;
S. Nakamura
;
M. Miura
;
T. Kimoto
;
H. Matsunami
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
CVD;
doping;
SCM;
SEM;
SiC;
SIMS;
5.
Sensitive Detection of Defects in a and β SiC by Raman Scattering
机译:
通过拉曼散射灵敏地检测a和βSiC中的缺陷
作者:
S. Nakashima
;
Y. Nakatake
;
Y. Ishida
;
T. Takahashi
;
H. Okumura
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
defects;
LO phonon plasmon coupled mode;
raman scattering;
TO bands;
6.
Self-Healing Phenomenon of Micropipes in Silicon Carbide
机译:
碳化硅中微管的自修复现象
作者:
Atsuto Okamoto
;
Yoshiki Seno
;
Naohiro Sugiyama
;
Fusao Hirose
;
Kazukuni Hara
;
Toshihiko Tani
;
Daisuke Nakamura
;
Nobuo Kamiya
;
Shoichi Onda
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
dislocations;
micropipes;
self-healing;
stacking faults;
TEM;
7.
Recent Achievements and Future Challenges in SiC Homoepitaxial Growth
机译:
SiC同质外延生长的最新成就和未来挑战
作者:
T. Kimoto
;
S. Nakazawa
;
K. Fujihira
;
T. Hirao
;
S. Nakamura
;
Y. Chen
;
K. Hashimoto
;
H. Matsunami
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
(0338) plane;
(1120) plane;
deep-level;
homoepitaxial growth;
hot-wall CVD;
impurity doping;
8.
Raman Microprobe Study of Carrier Density Profiles in Modulation-Doped 6H SiC
机译:
调制掺杂6H SiC中载流子密度分布的拉曼显微探针研究
作者:
S. Nakashima
;
Y. Nakatake
;
Y. Yano
;
H. Harima
;
N. Ohtani
;
M. Katsuno
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
carrier concentration;
LO phonon plasmon coupled mode;
mobility;
raman imaging;
9.
QuaSiC Smart-Cut~(~R) Substrates for SiC High Power Devices
机译:
用于SiC高功率器件的QuaSiC Smart-Cut〜(〜R)基板
作者:
F. Letertre
;
E. Jalaguier
;
L. Di Cioccio
;
F. Templier
;
J.M. Bluet
;
C. Banc
;
I. Matko
;
B. Chenevier
;
E. Bano
;
G. Guillot
;
T. Billon
;
B. Aspar
;
R. Madar
;
B. Ghyselen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
4H-SiC;
SiC CVD epitaxy;
smart-cut~(~R);
tungsten silicide;
wafer bonding;
10.
Replication of Defects from 4H-SiC Wafer to Epitaxial Layer
机译:
从4H-SiC晶圆到外延层的缺陷复制
作者:
T. Ohno
;
H. Yamaguchi
;
K. Kojima
;
J. Nishio
;
K. Masahara
;
Y. Ishida
;
T. Takahashi
;
T. Suzuki
;
S. Yoshida
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
4H-SiC;
basal-plane dislocations;
epitaxial layers;
screw dislocations;
X-ray topography;
11.
Properties of the UD-1 Deep-Level Center in 4H-SiC
机译:
4H-SiC中UD-1深层中心的性质
作者:
B. Magnusson
;
A. Ellison
;
E. Janzen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
absorption;
deep-level;
FTIR;
photo-induced absorption;
semi-insulating SiC;
12.
Polytype Dependence of Transition Metal-Related Deep Levels in 4H-, 6H- and 15R-SiC
机译:
4H-,6H-和15R-SiC中过渡金属相关深能级的多型依赖性
作者:
J. Grillenberger
;
N. Achtziger
;
G. Pasold
;
W. Witthuhn
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
chromium;
deep-level;
DLTS;
level split;
polytype dependence;
radiotracer;
tantalum;
titanium;
transition metal;
tungsten;
vanadium;
13.
Polytype Identification and Mapping in Heteroepitaxial Growth of 3C on Atomically Flat 4H-SiC Mesas Using Synchrotron White-Beam X-Ray Topography
机译:
同步加速器白束X射线形貌在原子平面4H-SiC台面上3C异质外延生长中的多态性鉴定和定位
作者:
M. Dudley
;
W.M. Vetter
;
X.R. Huang
;
P.G. Neudeck
;
J.A. Powell
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
3C SiC;
atomically flat mesas;
heteroepitaxial growth;
mismatch strain;
polytype mapping;
screw dislocations;
synchrotron white-beam X-ray topography (SWBXT);
14.
Predicting Growth Rates of SiC Epitaxial Layers Grown by Hot-Wall Chemical Vapor Deposition
机译:
预测热壁化学气相沉积法生长的SiC外延层的生长速率
作者:
Oe. Danielsson
;
S. Joensson
;
A. Henry
;
E. Janzen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
CVD;
epitaxial growth;
growth rate;
simulation;
15.
Physics of Heteroepitaxy and Heterophases
机译:
异质外延和异相的物理学
作者:
P. Masri
;
J. Pezoldt
;
M. Sumiya
;
M. Averous
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
buffer layers;
heteroepitaxy;
interface composition;
interface optimization;
16.
Photoluminescence Investigation of Hydrogen Interaction with Defects in SiC
机译:
SiC中氢与缺陷相互作用的光致发光研究
作者:
Yaroslav Koshka
;
Michael S. Mazzola
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
aluminum acceptor;
D_Ⅰ;
hydrogenation;
lattice damage;
passivation;
photoluminescence;
photoluminescence transients;
17.
Photoconductivity of Lightly-Doped and Semi-Insulating 4H-SiC and the Free Exciton Binding Energy
机译:
轻掺杂和半绝缘的4H-SiC的光电导性及自由激子结合能
作者:
I.G. Ivanov
;
J. Zhang
;
L. Storasta
;
E. Janzen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
electronic band-gap;
exciton binding energy;
excitonic band-gap;
extrinsic photocurrent;
intrinsic photocurrent;
18.
Physical Mechanism for the Anomalous Behavior of n-Type Dopants in SiC
机译:
SiC中n型掺杂物异常行为的物理机制
作者:
R.K. Malhan
;
J. Kozima
;
T. Yamamoto
;
A. Fukumoto
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
defects;
donors;
ion implantation;
nitrogen;
phosphorus;
theory;
vacancies;
19.
Oxidation States Present on SiC (0001) after Oxygen Exposure
机译:
氧气接触后SiC(0001)上的氧化态
作者:
C. Virojanadara
;
L.I. Johansson
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
intermediate oxidation states;
oxidation;
SiC;
20.
Oxidation-Induced Crystallographic Transformation in Heavily N-Doped 4H-SiC Wafers
机译:
N掺杂4H-SiC晶片中的氧化诱导晶体学转变。
作者:
B.J. Skromme
;
K. Palle
;
C.D. Poweleit
;
L.R. Bryant
;
W.M. Vetter
;
M. Dudley
;
K. Moore
;
T. Gehoski
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
crystallographic transformation;
dimpling;
dislocations;
extended defects;
heavy doping;
oxidation;
photoluminescence;
raman scattering;
schottky barrier;
X-ray topography;
21.
p-3C-SiC-6H-SiC Heterojunctions: Structural and Electrical Characterization
机译:
p-3C-SiC / n-6H-SiC异质结:结构和电特性
作者:
A.A. Lebedev
;
A.M. Strelchuk
;
D.V. Davydov
;
N.S. Savkina
;
A.S. Tregubova
;
A.N. Kuznetsov
;
V.A. Soloviev
;
N.K. Poletaev
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
band diagram;
exciton;
heteropolytype structures;
SiC;
sublimation epitaxy;
22.
Observation of Planar Defects in 2-Inch SiC Wafer
机译:
2英寸SiC晶片的平面缺陷观察
作者:
H. Tanaka
;
T. Nishiguchi
;
M. Sasaki
;
S. Nishino
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
diameter enlargement;
micropipes;
planar defects;
sublimation;
temperature gradient;
23.
Optical Emission Microscopy of Structural Defects in 4H-SiC PiN Diodes
机译:
光学显微镜观察4H-SiC PiN二极管中的结构缺陷
作者:
A. Galeckas
;
J. Linnros
;
B. Breitholtz
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
carrier recombination;
defects;
diffusion length;
electroluminescence;
optical emission microscopy;
24.
Optical and Electrical Characterization of Free-Standing 3C-SiC Films Grown on Undulant 6in Si Substrates
机译:
6in Si衬底上生长的自支撑3C-SiC薄膜的光电特性
作者:
Toshimichi Yamada
;
Kohei M. Itoh
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
free excitons;
hall-effect measurements;
photoluminescence;
undulant substrates;
25.
On the Preparation of Vanadium-Doped Semi-Insulating SiC Bulk Crystals
机译:
钒掺杂半绝缘SiC块状晶体的制备
作者:
M. Bickermann
;
D. Hofmann
;
T.L. Straubinger
;
R. Weingaertner
;
A. Winnacker
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
boron doping;
bulk growth;
dopant homogeneity;
hall effect;
resistivity mapping;
semi-insulating SiC;
vanadium doping;
26.
Nanoscale Electrical Characterization of 3C-SiC Layers by Conductive Atomic Force Microscopy
机译:
导电原子力显微镜对3C-SiC层的纳米电学表征
作者:
Akihiro Yahata
;
Li Zhang
;
Takashi Shinohe
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
3C-SiC;
conductive atomic force microscopy;
schottky barrier diodes;
twin boundaries;
undulation;
27.
New and Improved Quantitative Characterization of SiC Using SIMS
机译:
使用SIMS的新型和改进的SiC定量表征
作者:
Larry Wang
;
David B. Sams
;
Alice Wang
;
Byoung-Suk Park
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
detection limits;
precision;
quantification;
reproducibility;
SiC;
SIMS;
28.
Micropipe Formation Model via Surface Step Interaction
机译:
通过表面台阶相互作用的微管形成模型
作者:
Noboru Ohtani
;
Masakazu Katsuno
;
Tatsuo Fujimoto
;
Takashi Aigo
;
Hirokatsu Yashiro
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
micropipes;
spiral growth;
step bunching;
step-step interaction;
29.
Model for Macroscopic Slits in 6H- and 4H-SiC Single Crystals
机译:
6H和4H-SiC单晶的宏观狭缝模型
作者:
J. Wollweber
;
H.-J. Rost
;
D. Schulz
;
D. Siche
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
BCF theory;
bulk crystals;
modified lely method;
polytype stability;
schwoebel effect;
SiC;
slit defects;
step bunching;
30.
Liquid-Phase Epitaxial Growth of Heavily Doped Al p-Type Contact Layers for SiC Devices and Resulting Ohmic Contacts
机译:
用于SiC器件的重掺杂Al p型接触层的液相外延生长及其形成的欧姆接触
作者:
A. Syrkin
;
V. Dmitriev
;
O. Kovalenkov
;
D. Bauman
;
J. Crofton
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
liquid-phase epitaxy;
ohmic contacts;
silicon carbide devices;
31.
Investigation of Structural Defects during 4H-SiC Schottky Diode Processing by Synchrotron Topography
机译:
同步辐射形貌研究4H-SiC肖特基二极管加工过程中的结构缺陷
作者:
E. Pernot
;
E. Neyret
;
C. Moulin
;
P. Pernot-Rejmankova
;
F. Templier
;
L. Di Cioccio
;
T. Billon
;
R. Madar
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
schottky diodes;
structural defects;
synchrotron topography;
32.
In Situ Etching of 4H-SiC in H_2 with Addition of HCI for Epitaxial CVD Growth
机译:
外加HCl的H_2原位刻蚀H_2中的4H-SiC
作者:
J. Zhang
;
O. Kordina
;
A. Ellison
;
E. Janzen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
CVD;
etching;
surface preparation;
33.
Impurity-Controlled Dopant Activation -The Role of Hydrogen in p-Type Doping of SiC
机译:
杂质控制的掺杂剂活化-氢在SiC p型掺杂中的作用
作者:
B. Aradi
;
A. Gali
;
P. Deak
;
N.T. Son
;
E. Janzen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
dopants;
hydrogen;
incorporation;
passivation;
theory;
34.
Improved SiCOI Structures Elaborated by Heteroepitaxy of 3C-SiC on SOI
机译:
3C-SiC异质外延在SOI上修饰的改进SiCOI结构
作者:
T. Chassagne
;
G. Ferro
;
H. Wang
;
Y. Stoemenos
;
H. Peyre
;
S. Contreras
;
J. Camassel
;
Y. Monteil
;
B. Ghyselen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
chemical vapor deposition CVD;
heteroepitaxy;
SiCOI;
SOI;
35.
Incorporation of Boron and the Role of Nitrogen as a Compensation Source in SiC Bulk Crystal Growth
机译:
硼的掺入和氮在SiC块状晶体生长中作为补偿源的作用
作者:
M. Bickermann
;
R. Weingaertner
;
D. Hofmann
;
T.L. Straubinger
;
A. Winnacker
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
boron doping;
bulk growth;
compensation;
dopant incorporation;
hall effect;
impurity incorporation;
segregation;
36.
Incorporation of Hydrogen (~1H and ~2H) into 4H-SiC during Epitaxial Growth
机译:
外延生长过程中将氢(〜1H和〜2H)掺入4H-SiC中
作者:
M.K. Linnarsson
;
U. Forsberg
;
M.S. Janson
;
E. Janzen
;
B.G. Svensson
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
CVD;
deuterium;
hydrogen;
SIMS;
37.
Influence of Junction Potential Distribution on Effective Impurity lonization Time Constants in SiC for Admittance Spectroscopy Data Analysis
机译:
导纳光谱数据分析中结势分布对SiC中有效杂质离子化时间常数的影响
作者:
Andrei V. Los
;
Michael S. Mazzola
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
emission coefficient;
large-signal modeling;
nitrogen donor;
nonlinear arrhenius plot;
38.
Influence of the Crystal Thickness on the SiC PVT Growth Rate
机译:
晶体厚度对SiC PVT生长速率的影响
作者:
D.I. Cherednichenko
;
Y.I. Khlebnikov
;
R.V. Drachev
;
I.I. Khlebnikov
;
T.S. Sudarshan
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
modeling;
self-congruent conditions;
velocity of SiC growth;
39.
Hydrogen Incorporation into SiC Using Plasma-Hydrogenation
机译:
使用等离子加氢将氢结合到SiC中
作者:
Y. Koshka
;
W.A. Draper
;
R.Y. Lakshman
;
J. Scofield
;
S.E. Saddow
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
hydrogen plasma;
hydrogenation;
ICP;
passivation;
RIE;
40.
High-Rate Epitaxial Growth of 4H-SiC Using a Vertical-Type, Quasi-Hot-Wall CVD Reactor
机译:
使用垂直型,准热壁CVD反应器高速率外延生长4H-SiC
作者:
K. Masahara
;
T. Takahashi
;
M. Kushibe
;
T. Ohno
;
J. Nishio
;
K. Kojima
;
Y. Ishida
;
T. Suzuki
;
T. Tanaka
;
S. Yoshida
;
K. Arai
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
growth rate;
hot-wall CVD;
hydrogen etching;
41.
Homoepitaxial Growth of 4H-SiC on Porous Substrate Using Bis-Trimethylsilylmethane Precursor
机译:
双三甲基甲硅烷基甲烷前体在多孔基质上4H-SiC的同质外延生长
作者:
Jae Kyeong Jeong
;
Myung Yoon Um
;
Hoon Joo Na
;
Bum Seok Kim
;
In Bok Song
;
Hyeong Joon Kim
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
BTMSM;
CVD;
homoepitaxy;
porous SiC;
RSM;
42.
Homoepitaxial Growth of Cubic Silicon Carbide by Sublimation Epitaxy
机译:
升华外延法生长立方碳化硅
作者:
T. Furusho
;
T. Miyanagi
;
Y. Okui
;
S. Ohshima
;
S. Nishino
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
cubic polytype;
high growth rate;
homoepitaxial growth;
sublimation epitaxy;
43.
Homoepitaxial 'Web Growth' of SiC to Terminate C-Axis Screw Dislocations and Enlarge Step-Free Surfaces
机译:
SiC的同质外延“网状生长”以终止C轴螺钉位错并扩大无台阶表面
作者:
Philip G. Neudeck
;
J. Anthony Powell
;
Andrew Trunek
;
David Spry
;
Glenn M. Beheim
;
Emye Benavage
;
Phillip Abel
;
William M. Vetter
;
Michael Dudley
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
AFM;
cantilever;
CVD;
homoepitaxial growth;
step-free surfaces;
SWBXT;
web growth;
44.
Hole Resonant Tunneling through SiC/Si-dot/SiC Heterostructures
机译:
通过SiC / Si-dot / SiC异质结构的空穴共振隧穿
作者:
Y. Ikoma
;
K. Uchiyama
;
F. Watanabe
;
T. Motooka
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
AFM;
resonant tunneling diodes;
supersonic free Jet CVD;
45.
Formation of Extremely Thin, Quasi-Single-Domain 3C-SiC Film on Resistively Heated On-Axis Si(001) Substrate Using Organo-Silane Buffer Layer
机译:
使用有机硅烷缓冲层在电阻加热的轴Si(001)衬底上形成极薄的准单域3C-SiC膜
作者:
H. Nakazawa
;
M. Suemitsu
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
antiphase boundary;
gas-source molecular beam epitaxy;
low-temperature interfacial buffer layer;
monomethylsilane;
46.
Growth Characteristics of SiC in a Hot-Wall CVD Reactor with Rotation
机译:
旋转热壁CVD反应器中SiC的生长特性
作者:
J. Zhang
;
U. Forsberg
;
M. Isacson
;
A. Ellison
;
A. Henry
;
O. Kordina
;
E. Janzen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
CVD;
doping;
hot-wall;
morphology;
rotation;
uniformity;
47.
Growth and Evaluation of High Quality SiC Crystal by Sublimation Method
机译:
升华法生长和评价高质量SiC晶体
作者:
Naoki Oyanagi
;
Hirotaka Yamaguchi
;
Tomohisa Kato
;
Shin-ichi Nishizawa
;
Kazuo Arai
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
etch pits;
polarizing microscope;
section topography;
sublimation method;
synchrotron radiation;
X-ray topography;
48.
4H Polytype Grain Formation in PVT-Grown 6H-SiC Ingots
机译:
PVT生长的6H-SiC铸锭中的4H多型晶粒形成
作者:
T. Fujimoto
;
M. Katsuno
;
N. Ohtani
;
T. Aigo
;
H. Yashiro
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
crystal orientation;
multi-domain ingot;
X-ray pole figure;
49.
Growth of 3-inch Diameter 6H-SiC Single Crystals by Sublimation Physical Vapor Transport
机译:
通过升华物理气相传输生长3英寸直径6H-SiC单晶
作者:
S. Wang
;
E.K. Sanchez
;
A. Kopec
;
S. Poplawski
;
R. Ware
;
S. Holmes
;
C.M. Balkas
;
A.G. Timmerman
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
crystal growth;
micropipes;
PVT;
SiC;
sublimation;
wafer diameter;
50.
Growth of Defect-Free 3C-SiC on 4H- and 6H-SiC Mesas Using Step-Free Surface Heteroepitaxy
机译:
使用无台阶表面异质外延在4H和6H-SiC台面上生长无缺陷3C-SiC
作者:
Philip G. Neudeck
;
J. Anthony Powell
;
Andrew J. Trunek
;
Xianrong R. Huang
;
Michael Dudley
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
3C-SiC;
cubic polytype;
heteroepitaxy;
lattice mismatch;
nucleation;
pseudomorphic;
stacking faults;
51.
A High-Resolution Photoemission Study of Hydrogen-Terminated 6H-SiC Surfaces
机译:
氢封端的6H-SiC表面的高分辨率光发射研究
作者:
N. Sieber
;
Th. Seyller
;
L. Ley
;
M. Polcik
;
D. James
;
J.D. Riley
;
R.C.G. Leckey
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
core level;
dangling bonds;
hydrogen termination;
mott-hubbard transition;
photoelectron spectroscopy;
synchrotron radiation;
valence band;
52.
Fabrication of α-SiC Heteroepitaxial Films by YAG-PLAD Method
机译:
YAG-PLAD法制备α-SiC异质外延膜
作者:
Hachizo Muto
;
Takeshi Kusumori
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
heteroepitaxial film;
pulsed-laser ablation;
RHEED;
X-ray diffraction;
α-SiC;
53.
Growth of 3C-SiC on Si(100) by LPCVD and Patterning of the Grown Layers
机译:
LPCVD在Si(100)上生长3C-SiC以及生长层的图案化
作者:
A. Bakin
;
I. Behrens
;
A. Ivanov
;
E. Peiner
;
D. Piester
;
H.-H. Wehmann
;
A. Schlachetzki
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
CVD;
patterning;
selective etching;
selective growth;
SiC on silicon;
54.
Fast Growth and Doping Characteristics of α-SiC in Horizontal Cold-Wall Chemical Vapor Deposition
机译:
水平冷壁化学气相沉积中α-SiC的快速生长和掺杂特性
作者:
Shun-ichi Nakamura
;
Tsunenobu Kimoto
;
Hiroyuki Matsunami
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
cold-wall CVD;
isothermal capacitance transient spectroscopy ICTS;
photoluminescence;
55.
Experimental Determination of the Phonon-Eigenvectors of Silicon Carbide by Raman Spectroscopy
机译:
拉曼光谱法测定碳化硅声子本征向量
作者:
B. Herzog
;
S. Rohmfeld
;
R. Puesche
;
M. Hundhausen
;
L. Ley
;
K. Semmelroth
;
G. Pensl
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
phonon dispersion curves;
phonon eigenvectors;
raman spectroscopy;
56.
Electrical Activity of Residual Boron in Silicon Carbide
机译:
碳化硅中残留硼的电活性
作者:
L. Storasta
;
J.P. Bergman
;
C. Hallin
;
E. Janzen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
boron;
carrier lifetime;
DLTS;
MCTS;
residual impurities;
57.
Electrical Properties of Neutron-Irradiated Silicon Carbide
机译:
中子辐照碳化硅的电性能
作者:
S. Kanazawa
;
M. Okada
;
J. Ishii
;
T. Nozaki
;
K. Shin
;
S. Ishihara
;
I. Kimura
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
carrier density;
carrier mobility;
hall effect;
neutron irradiation;
radiation damage;
resistivity;
SiC;
thermal annealing;
58.
Electron-Irradiation-Induced Amorphization of 6H-SiC by 300 keV Transmission Electron Microscope Equipped with a Field-Emission Gun
机译:
装备有场发射枪的300 keV透射电子显微镜对6H-SiC进行电子辐照诱导的非晶化
作者:
In-Tae Bae
;
Manabu Ishimaru
;
Yoshihiko Hirotsu
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
amorphization;
electron irradiation;
field-emission gun;
threshold displacement energy;
59.
Dislocation Constraint by Etch-Back Process of Seed Crystal in SiC Bulk Crystal Growth
机译:
SiC块状晶体生长中籽晶回蚀工艺的位错约束
作者:
Tomohisa Kato
;
Naoki Oyanagi
;
Yasuo Kitou
;
Shin-ichi Nishizawa
;
Kazuo Arai
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
defects;
modified lely method;
SiC;
sublimation;
60.
Delta-Doped Layers of SiC Grown by 'Pulse Doping' Technique
机译:
通过“脉冲掺杂”技术生长的SiC的δ掺杂层
作者:
K. Takahashi
;
T. Yokogawa
;
M. Uchida
;
O. Kusumoto
;
K. Yamashita
;
R. Miyanaga
;
M. Kitabatake
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
C-V profile;
delta-doped structure;
epitaxial growth;
pulse doping technique;
vertical hot-wall;
CVD;
61.
Comparative Study of Heteroepitaxially and Homoepitaxially Grown 3C-SiC Films
机译:
异质外延和同质外延生长的3C-SiC薄膜的比较研究
作者:
T. Takahashi
;
Y. Ishida
;
H. Tsuchida
;
I. Kamata
;
H. Okumura
;
S. Yoshida
;
K. Arai
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
3C-SiC;
AFM;
heteroepitaxy;
low-pressure CVD;
photoluminescence;
X-ray diffraction;
62.
Comparison of the Growth Characteristics of SiC on Si between Low-Pressure CVD and Triode Plasma CVD
机译:
低压CVD与三极管等离子CVD在Si上SiC的生长特性比较
作者:
Kanji Yasui
;
Masahiro Hashiba
;
Yuzuru Narita
;
Tadashi Akahane
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
3C-SiC;
dimethysilane;
low-pressure CVD;
triode plasma CVD;
63.
Carrier Concentrations in Implanted and Epitaxial 4H-SiC by Scanning Spreading Resistance Microscopy
机译:
扫描扩散电阻显微镜观察植入和外延4H-SiC中的载流子浓度
作者:
John Oesterman
;
Srinivasan Anand
;
Margareta Linnarsson
;
Anders Hallen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
dopant activation;
implantation profiles;
point contact;
spreading resistance;
SSRM;
64.
Characterization of SiC Epitaxial Wafers by Photoluminescence under Deep UV Excitation
机译:
紫外激发下光致发光表征SiC外延晶片
作者:
M. Tajima
;
M. Tanaka
;
N. Hoshino
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
deep-level;
epitaxial layers;
mapping;
nonuniformity;
photoluminescence;
65.
Characterization of Bulk and Epitaxial SiC Material Using Photoluminescence Spectroscopy
机译:
大块和外延SiC材料的光致发光光谱表征
作者:
A. Henry
;
A. Ellison
;
U. Forsberg
;
B. Magnusson
;
G. Pozina
;
E. Janzen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
doping;
photoluminescence;
polytypes;
66.
Characterization of Inclusions in SiC Bulk Crystals Grown by Modified Lely Method
机译:
改进的Lely法生长SiC块状晶体中的夹杂物
作者:
Fusao Hirose
;
Yasuo Kitou
;
Naoki Oyanagi
;
Tomohisa Kato
;
Shin-ichi Nishizawa
;
Kazuo Arai
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
dendrites;
inclusions;
misoriented phase;
modified lely method;
Si droplet;
SiC bulk crystal growth;
titanium;
vanadium;
67.
Characterisation and Defects in Silicon Carbide
机译:
碳化硅的特征与缺陷
作者:
J. P. Bergman
;
H. Jakobsson
;
L. Storasta
;
F.H.C. Carlsson
;
B. Magnusson
;
S. Sridhara
;
G. Pozina
;
H. Lendenmann
;
E. Janzen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
carrier lifetime;
defects;
dislocations;
stacking faults;
68.
Chemical Environment of Atomic Vacancies in Electron Irradiated Silicon Carbide Measured by a 2D-Doppler Broadening Technique
机译:
二维多普勒展宽技术测量电子辐照碳化硅中原子空位的化学环境
作者:
A.A. Rempel
;
K. Blaurock
;
K.J. Reichle
;
W. Sprengel
;
H.-E. Schaefer
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
6H-SiC;
chemical environment of a defect;
coincident doppler broadening;
electron irradiation;
electron momentum distribution;
positron lifetime;
SiC;
single vacancies;
69.
Atomic-Step Observations on 6H- and 15R-SiC Polished Surfaces
机译:
6H和15R-SiC抛光表面的原子步观察
作者:
P. Vicente
;
E. Pernot
;
D. Chaussende
;
J. Camassel
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
atomic steps;
chemico-mechanical polishing;
surface preparation;
70.
Aluminum Doping of 6H- and 4H-SiC with a Modified PVT Growth Method
机译:
改进的PVT生长方法对6H-和4H-SiC进行铝掺杂
作者:
T.L. Straubinger
;
M. Bickermann
;
M. Rasp
;
R. Weingaertner
;
P.J. Wellmann
;
A. Winnacker
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
aluminum doping;
bulk growth;
modified-PVT;
SiC;
71.
A Method of Reducing Micropipes in Thin Films by Using Sublimation Growth
机译:
通过升华生长减少薄膜中微管的方法
作者:
Naoki Oyanagi
;
Shin-ichi Nishizawa
;
Kazuo Arai
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
electron beam deposition;
micropipes;
modified lely method;
sublimation growth;
72.
3C-SiC(100) Homoepitaxial Growth by Chemical Vapor Deposition and Schottky Barrier Junction Characteristics
机译:
化学气相沉积和肖特基势垒结特性的3C-SiC(100)同质外延生长
作者:
Y. Ishida
;
M. Kushibe
;
T. Takahashi
;
H. Okumura
;
S. Yoshida
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
3C-SiC;
homoepitaxial growth;
schottky barrier junctions;
73.
Adsorption of Metastable Molecular Oxygen on SiC(0001)-3~(1/2) x 3~(1/2)
机译:
SiC(0001)-3〜(1/2)x 3〜(1/2)对亚稳分子氧的吸附
作者:
C. Virojanadara
;
L.I. Johansson
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
initial adsorption;
metastable molecular oxygen;
SiC;
74.
Aluminum and Boron Diffusion into (1100) Face SiC Substrates
机译:
铝和硼扩散到(1100)面SiC衬底中
作者:
S.I. Soloviev
;
Y. Gao
;
Y. Khlebnikov
;
I.I. Khlebnikov
;
T.S. Sudarshan
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
C-face;
diffusion;
diffusion coefficient;
SIMS;
75.
Adsorbate Effects of the Surface Structure of 6H-SiC(0001) 3~(1/2) x 3~(1/2)-R30°
机译:
6H-SiC(0001)3〜(1/2)x 3〜(1/2)-R30°表面结构的吸附效应
作者:
Tomohiro Aoyama
;
Yoshiyuki Hisada
;
Shinichi Mukainakano
;
Ayahiko Ichimiya
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
6H-SiC;
adsorbate effects;
AES;
RHEED rocking curves;
surfaces;
76.
The Nature and Diffusion of Intrinsic Point Defects in SiC
机译:
SiC本征点缺陷的性质和扩散
作者:
Michel Bockstedte
;
Matthias Heid
;
Alexander Mattausch
;
Oleg Pankratov
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
defect complexes;
interstitials;
self-diffusion;
vacancies;
77.
CVD SiC Powder for High-Purity SiC Source Material
机译:
用于高纯SiC原料的CVD SiC粉末
作者:
S. Ezaki
;
M. Saito
;
K. Ishino
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
acheson;
CVD;
high-purity;
powder;
sublimation;
78.
Structure of 2D-Nucleation-lnduced Stacking Faults in 6H-SiC
机译:
6H-SiC中二维成核引起的堆垛层错的结构
作者:
J.Q. Liu
;
E.K. Sanchez
;
M. Skowronski
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
2-D nucleation;
PVT;
stacking faults;
TEM;
79.
Ultrafast Electron Relaxation Processes in SiC
机译:
SiC中的超快电子弛豫过程
作者:
T. Tomita
;
S. Saito
;
T. Suemoto
;
H. Harima
;
S. Nakashima
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
electron-phonon iInteractions;
inter-conduction band transitions;
pump probe technique;
relaxation dynamics;
80.
Void-Free Epitaxial Growth of Cubic SiC Crystallites during CO Heat Treatment of Oxidized Silicon
机译:
氧化硅的CO热处理过程中立方SiC微晶的无空隙外延生长
作者:
Olga H. Krafcsik
;
Gyoergy Vida
;
Katalin V. Josepovits
;
Peter Deak
;
Gyoergy Z. Radnoczi
;
Bela Pecz
;
Istvan Barsony
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
CO-annealing;
epitaxial growth;
void-free;
81.
Vacancy Defects in As-Polished and in High-Fluence H~+-Implanted 6H-SiC Detected by Slow Positron Annihilation Spectroscopy
机译:
慢正电子An没光谱法检测抛光后和高通量H〜+注入的6H-SiC中的空位缺陷
作者:
M.-F. Barthe
;
P. Desgardin
;
L. Henry
;
C. Corbel
;
D.T. Britton
;
G. Koegel
;
P. Sperr
;
W. Triftshaeuser
;
P. Vicente
;
L. diCioccio
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
polishing;
positron annihilation;
proton implantation;
SiC;
vacancy defects;
82.
Theoretical Calculation of Stacking Fault Energies in Silicon Carbide
机译:
碳化硅堆垛层错能的理论计算
作者:
Hisaomi Iwata
;
Ulf Lindefelt
;
Sven Oeberg
;
Patrick R. Briddon
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
first-principles calculations;
stacking faults;
stacking fault energy;
83.
Theoretical Study of Cubic Polytype Inclusions in 4H-SiC
机译:
4H-SiC中立方多形夹杂物的理论研究
作者:
Hisaomi Iwata
;
Ulf Lindefelt
;
Sven Oeberg
;
Patrick R. Briddon
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
first-principles calculations;
polytype inclusions;
stacking faults;
84.
Theoretical Studies of Vanadium Impurity in β-SiC
机译:
β-SiC中钒杂质的理论研究
作者:
Yu.M. Tairov
;
S.A. Reshanov
;
I.I. Parfenova
;
E.I. Yuryeva
;
A.L. Ivanovskii
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
electronic structure;
impurity localization;
magnetic state;
nickel;
titanium;
vanadium;
85.
Theoretical Investigation of an Intrinsic Defect in SiC
机译:
SiC固有缺陷的理论研究
作者:
A. Gali
;
P. Deak
;
N.T. Son
;
E. Janzen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
86.
The Development of 4H-SiC {0338} Wafers
机译:
4H-SiC {0338}晶片的发展
作者:
K. Nakayama
;
Y. Miyanagi
;
H. Shiomi
;
S. Nishino
;
T. Kimoto
;
H. Matsunami
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
4H-SiC;
bulk crystals;
CVD;
epitaxy;
sublimation;
87.
The Effect of Nitrogen on Crystal Growth of SiC on (1120) Substrates
机译:
氮对(1120)衬底上SiC晶体生长的影响
作者:
Taro Nishiguchi
;
Yasuichi Masuda
;
Satoru Ohshima
;
Shigehiro Nishino
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
(1120) plane;
C/Si ratio;
CVD growth;
nitrogen;
sublimation growth;
tantalum;
88.
The Brittle-to-Ductile Transition in 4H-SiC
机译:
4H-SiC的脆性-韧性转变
作者:
M. Zhang
;
H.M. Hobgood
;
J.L. Demenet
;
P. Pirouz
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
brittle-to-ductile transition;
dislocations;
fracture;
,echanical properties;
semiconductors;
89.
Study of Metamorphosing Top Si Layer of SOI Wafer into 3C-SiC Using Conventional Electric Furnace
机译:
用常规电炉研究SOI晶片顶部Si层向3C-SiC的变形
作者:
Seisaku Hirai
;
Fumihiko Jobe
;
Motoi Nakao
;
Katsutoshi Izumi
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
carbonization;
electron-photon-merged devices;
SOI;
90.
Temperature Dependence of Sublimation Growth of 6H-SiC on (1120) Substrates
机译:
(1120)衬底上6H-SiC升华生长的温度依赖性
作者:
Taro Nishiguchi
;
Yasuichi Masuda
;
Satoru Ohshima
;
Shigehiro Nishino
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
(1120) plane;
growth model;
growth temperature;
sublimation growth;
two-step growth;
91.
The Development of 2in 6H-SiC Wafer with High Thermal-Conductivity
机译:
高导热率的2in 6H-SiC晶片的开发
作者:
Y. Miyanagi
;
K. Nakayama
;
H. Shiomi
;
S. Nishino
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
conductive carrier;
lattice vibration;
thermal conductivity;
92.
Silicon Carbide Technology in New Era
机译:
新时代的碳化硅技术
作者:
H. Matsunami
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
4H-SiC MOSFETs;
bulk growth;
channel mobility;
device processes;
epitaxial growth;
SiC technology;
93.
Aluminum Doping of Epitaxial Silicon Carbide Grown by Hot-Wall CVD; Effect of Process Parameters
机译:
热壁CVD生长外延碳化硅的铝掺杂;工艺参数的影响
作者:
U. Forsberg
;
Oe. Danielsson
;
A. Henry
;
M.K. Linnarsson
;
E. Janzen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
aluminum;
CVD;
doping;
hot-wall;
thermodynamical calculations;
94.
Wet-Chemical Preparation of Silicate Adlayer Reconstructed SiC(0001) Surfaces as Studied by PES and LEED
机译:
用PES和LEED研究湿法化学制备硅酸盐层重建的SiC(0001)表面
作者:
N. Sieber
;
Th. Seyller
;
R. Graupner
;
L. Ley
;
R.P. Mikalo
;
P. Hoffmann
;
D. Batchelor
;
D. Schmeisser
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
core level;
photoelectron spectroscopy;
synchrotron radiation;
wet-chemical preparation;
95.
UV Scanning Photoluminescence Spectroscopy Investigation of 6H- and 4H-SiC
机译:
6H-和4H-SiC的紫外扫描光致发光光谱研究
作者:
L. Masarotto
;
J.M. Bluet
;
G. Guillot
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
dislocations;
micropipes;
polytypes;
scanning photoluminescence;
96.
Vapor-Phase Epitaxial Growth of n-Type SiC Using Phosphine as the Precursor
机译:
以磷化氢为前体的气相生长n型SiC
作者:
Rongjun Wang
;
Ishwara Bhat
;
T. Paul Chow
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
epitaxial growth;
phosphorus doping;
SiC;
site competition effect;
97.
Thermoelectric Properties of 3C-SiC Produced by Silicon Carbonization
机译:
硅碳化法生产3C-SiC的热电性能
作者:
M. Masuda
;
H. Mabuchi
;
H. Tsuda
;
T. Matsui
;
K. Morii
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
3C-SiC;
carbonization;
silicon wafer;
thermoelectric;
thermoelectric properties;
98.
Towards Quantum Structures in SiC
机译:
走向SiC中的量子结构
作者:
F. Bechstedt
;
A. Fissel
;
U. Grossner
;
U. Kaiser
;
H.-C. Weissker
;
W. Wesch
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
excitation energy;
nanocrystallites;
polytypes;
quantum confinement;
spontaneous polarization;
type of heterostructure;
99.
Traveling Self-Confined-Solvent Method: Novel LPE Growth of 6H-SiC
机译:
行进自约束溶剂法:新型LPE生长6H-SiC
作者:
Y. Asaoka
;
M. Hiramoto
;
N. Sano
;
T. Kaneko
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
6H-SiC;
liquid-phase epitaxy;
self-confined solvent;
100.
The Neutral Silicon Vacancy in SiC: Ligand Hyperfine Interaction
机译:
SiC中的中性硅空位:配体超精细相互作用
作者:
Mt. Wagner
;
N.Q. Thinh
;
N.T. Son
;
P.G. Baranov
;
E.N. Mokhov
;
C. Hallin
;
W.M. Chen
;
E. Janzen
会议名称:
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》
|
2001年
关键词:
electron irradiation;
ligand hyperfine interaction;
ODMR;
silicon vacancy;
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