Micropipe Formation Model via Surface Step Interaction

机译：通过表面台阶相互作用的微管形成模型

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Silicon carbide (SiC) single crystals, a promising material for high power and high temperature semiconductor devices, suffer from crystallographic hollow defects, so-called "micropipes." Their formation mechanism is not satisfactorily clarified yet. In this paper, we propose a micropipe formation model via surface step interaction, where the strong repulsive interaction between surface steps on the SiC(0001) surface is a major driving force for coalescing unit cell size screw dislocations.

机译：碳化硅（SiC）单晶是用于高功率和高温半导体器件的一种有前途的材料，它具有晶体学上的空心缺陷，即所谓的“微管”。尚未令人满意地阐明其形成机理。在本文中，我们提出了一种通过表面台阶相互作用的微管形成模型，其中SiC（0001）表面上的表面台阶之间的强排斥相互作用是凝聚单位晶胞尺寸螺钉位错的主要驱动力。

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来源
《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》|2001年|p.99-102|共4页
会议地点 Tsukuba(JP);Tsukuba(JP)
作者
Noboru Ohtani; Masakazu Katsuno; Tatsuo Fujimoto; Takashi Aigo; Hirokatsu Yashiro;
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作者单位

Nippon Steel Corporation, Advanced Technology Research Laboratories, 20-1 Shintomi, Futtsu, Chiba 293-8511, Japan;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
micropipes; spiral growth; step bunching; step-step interaction;

机译：微管;螺旋生长;步聚;步相互作用;

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