Formation of Extremely Thin, Quasi-Single-Domain 3C-SiC Film on Resistively Heated On-Axis Si(001) Substrate Using Organo-Silane Buffer Layer

著录项

• 来源
  《International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 Pt.1 Oct 28-Nov 2, 2001 Tsukuba, Japan》|2001年|p.351-354|共4页
• 会议地点 Tsukuba(JP);Tsukuba(JP)
• 作者

  H. Nakazawa; M. Suemitsu;

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• 作者单位

  Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai, Japan;

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• 会议组织
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 无线电电子学、电信技术;
• 关键词

  antiphase boundary; gas-source molecular beam epitaxy; low-temperature interfacial buffer layer; monomethylsilane;

  机译：反相边界气源分子束外延低温界面缓冲层单甲基硅烷;