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首页> 外文会议>International Symposium on Solid Oxide Fuel Cells(SOFC VIII); 20030427-20030502; Paris; FR >DOPANT SEGREGATION IN NANOMETRIC TZP CERAMICS
【24h】

DOPANT SEGREGATION IN NANOMETRIC TZP CERAMICS

机译：纳米TZP陶瓷中的掺杂偏析

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Dense, tetragonal single-phased and nanocrystalline zirconia ceramics containing 3 mol% R_2O_3 without impurities and with average grain sizes of 60 nm were prepared. Electrical properties were investigated by impedance spectroscopy, as the ionic radius increased from 0.098 nm to 0.109 nm, respectively from Yb~(3+), Y~(3+), Gd~(3+) to Sm~(3+). Conductivity variations were not due to these microstructure contributions but really due to an effect of R_2O_3 dopant. Segregation phenomenon has been put into perspective comparing these electrical data with those of air-quenched samples and it was fully related to the dopant ionic radius size.
机译：制备了致密的四方单相纳米晶氧化锆陶瓷，该陶瓷含有3 mol％的R_2O_3，无杂质，平均粒径为60 nm。当离子半径分别从0.098 nm增加到0.109 nm（分别从Yb〜（3 +），Y〜（3 +），Gd〜（3+）到Sm〜（3+）时，通过阻抗光谱研究电性能。电导率变化不是由于这些微结构的贡献，而是由于R_2O_3掺杂剂的作用。将这些电数据与空气淬火样品的电数据进行比较时，偏析现象已成为一种透视，它与掺杂剂离子半径大小完全相关。

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