Semicond. Storage Products Co., Toshiba Corp., Yokkaichi, Japan;
elemental semiconductors; silicon; surface contamination; SNC solution; Si; in-line analysis; intentionally contaminated wafers; metallic impurities; noble metals; silicon wafer surface; Gold; Hafnium; Impurities; Silicon; Surface contamination; Surface treatment; ICP-MS; in-line analysis; noble metallic impurities; solution; wafer surface;
机译:气相处理和全反射X射线荧光分析法分析硅晶片表面的低金属污染
机译:使用同步辐射的全反射X射线荧光光谱法对硅晶片表面进行痕量杂质分析
机译:使用ICP-MS在线监测硅片清洗槽中的金属
机译:硅晶片表面上贵金属杂质在线分析的新溶液
机译:轻元素杂质(O,C和N)对光伏硅晶片的力学性能和裂纹萌生/传播的影响。
机译:碳化硅-碳化硅纳米粒子在硅晶片表面的生长和自组装成蠕虫状纳米杂化结构。
机译:分析化学“超级”和“超”代表。亚区化学蚀刻/微射线NEBLIELER-ICP-MS测定硅晶片中硅晶片超速金属杂质分布。
机译:溶液法测定氮化硅中金属杂质的发射光谱