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【24h】

ASM stepper alignment through thick epitaxial silicon films

机译：通过厚外延硅膜进行ASM步进对准

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Abstract: High voltage bipolar and BiCMOS processes often usethick epitaxially grown layers of silicon. These films12-24 $mu@m thick offer a considerable challenge to thealignment of subsequent process layers due to the 'washout' and image distortion, caused to any underlyingpattern, which render automatic alignment markrecognition difficult it not impossible. Historicallyusing projection aligner technology these immediatelypost Epi layers have been manually aligned with futureautomatic alignment target defined at the firstopportunity post Epi. This is not possible using ASMsteppers, as these depend upon marks etched into thesilicon, before first processing, to create marks, towhich all subsequent layers are registered. To allowthe stepper to run wafers with these Epi films a newapproach was required. !3
机译：摘要：高压双极和BiCMOS工艺通常使用外延生长的硅厚层。这些膜厚12-24μm@ m的膜对后续处理层的对准提出了很大的挑战，这归因于“冲洗”和由任何下层图案引起的图像变形，这使得自动对准标记识别变得困难并非不可能。从历史上看，使用投影对齐器技术将这些立即发布的Epi层与在Epi第一次发布时定义的将来自动对齐目标进行手动对齐。使用ASMsteppers不可能做到这一点，因为这些步骤取决于在第一次处理之前蚀刻到硅中的标记以创建标记，所有后续层都将标记到该标记上。为了使步进器可以用这些Epi膜运行晶圆，需要一种新的方法。 ！3

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