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1.00 MeV proton radiation resistance studies of single-junction and single dual-junction amorphous-silicon alloy solar cells

机译：单结和单双结非晶硅合金太阳能电池的1.00 MeV质子辐射抗性研究

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A comparative study of the radiation resistance of a-Si:H and a-SiGe:H single-junction and a-Si:H dual-junction solar cells was conducted. The cells were irradiated with 1.00 MeV protons with fluences of 1.0*10/sup 14/, 5.0*10/sup 14/ and 1.0*10/sup 15/ cm/sup -2/ and characterized using I-V and quantum efficiency measurements. The radiation resistance of single-junction cells cannot be used to explain the behavior of dual-junction cells at a fluence of 1.0*10/sup 15/ cm/sup -2/. The a-Si H single-junction cells degraded the least of the three cells; a-SiGe:H single-junction cells showed the largest reduction in short-circuit current. while a-Si:H dual-junction cells exhibited the largest degradation in the open-circuit voltage. The quantum efficiency of the cells degraded more in the red part of the spectrum: the bottom junction degrades first in dual-junction cells.
机译：对a-Si：H和a-SiGe：H单结和a-Si：H双结太阳能电池的抗辐射性进行了比较研究。用1.00MeV质子辐照细胞，其通量为1.0 * 10 / sup 14 /，5.0 * 10 / sup 14 /和1.0 * 10 / sup 15 / cm / sup -2 /，并使用IV和量子效率测量进行表征。单结电池的抗辐射性不能用来解释双结电池在1.0 * 10 / sup 15 / cm / sup -2 /的注量下的行为。 a-Si H单结电池降解了三个电池中的最少一个。 a-SiGe：H单结电池在短路电流方面表现出最大的降低。而a-Si：H双结电池在开路电压中表现出最大的退化。在光谱的红色部分中，细胞的量子效率下降更多：底部结在双结电池中首先下降。

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