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Aluminum graded-base AlGaAs/GaAs PNp HBT with 37 GHz cut-off frequency

机译：铝渐变基AlGaAs / GaAs PNp HBT，截止频率为37 GHz

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A PNp AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) with Al-alloy graded base structure is described. In order to reduce the base transit time (/spl tau/b) and thus to obtain high performance pnp-type AlGaAs/GaAs HBTs, Al-alloy grading is adopted to form a high quasi-electric field in the base. The effectiveness of Al-alloy grading in the base is demonstrated by the RF performance of the fabricated device which shows a cut off frequency (f/sub t/) of 37 GHz and a maximum oscillation frequency (f/sub max/) of 30 GHz. Further analysis of f/sub t/ associated with collector current densities indicates the intrinsic time of the device, which is the sum of the base transit time (/spl tau//sub b/) and the collector depletion region transition time (/spl tau//sub SC/), is as low as 2.0 ps.
机译：描述了具有铝合金分级基极结构的PNp AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管（HBT）。为了减少基础传输时间（/ spl tau / b），从而获得高性能的pnp型AlGaAs / GaAs HBT，采用铝合金分级在基础中形成高准电场。基座中铝合金分级的有效性由所制造设备的RF性能证明，该设备的截止频率（f / sub t /）为37 GHz，最大振荡频率（f / sub max /）为30 GHz。与集电极电流密度相关的f / sub t /的进一步分析表明了器件的固有时间，该时间是基极渡越时间（/ spl tau // sub b /）与集电极耗尽区过渡时间（/ spl）的总和tau // sub SC /）低至2.0 ps。

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