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COPPER CMP AND EFFECT OF DUMMY STRUCTURES

机译：铜CMP和钝化结构的影响

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Two types of dummy structures can be implemented for copper CMP to improve its planarity and uniformity: 1) dummy metal fill in regions with low metal pattern density, and 2) dummy oxide fill inside large, solid metal features. These two types of dummy structures were designed into a CMP test mask, and copper damascene test wafers were processed using a non-selective Cu CMP process. The test structures were characterized with physical metrology techniques and parametric electrical testing. Results are: (1) the dummy metal fill reduces copper trench dishing and local surface non-planarity, but does not change the actual copper loss or impact the final copper thickness of actual circuit elements, and (2) dummy oxide fill reduces copper dishing, but causes substantial increase in the resistance of circuit elements.
机译：可以为铜CMP实现两种类型的虚拟结构，以改善其平面度和均匀性：1）在金属图案密度低的区域中填充虚拟金属，以及2）在大型固态金属部件内部填充虚拟氧化物。将这两种类型的虚拟结构设计到CMP测试掩模中，并使用非选择性Cu CMP工艺处理铜镶嵌测试晶圆。测试结构通过物理计量技术和参数电气测试进行了表征。结果是：（1）伪金属填充减少了铜沟槽凹陷和局部表面的非平面性，但不会改变实际的铜损或影响实际电路元件的最终铜厚度;（2）伪氧化物填充减少了铜凹陷，但会导致电路元件电阻的大幅增加。

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