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【24h】

PLASMA TREATMENTS OF THE INTERFACE IN n-type AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON / p-type CRYSTALLINE SILICON HETEROJUNCTION SOLAR CELLS

机译：n型无定形氢化硅/ p型晶体硅杂核异质结太阳能电池的乙素处理

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Combination of crystalline silicon (c-Si) and hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) technologies is becoming an appealing and cost-effective approach for photovoltaic applications. The deposition of a thin n a-Si:H layer on the p c-Si wafer requires a good surface passivation that can be achieved, for example, with an intrinsic a-Si:H layer. However, a wet chemical step (generally a HF dip) is needed to remove the native oxide layer. The purpose of this work is to suppress the wet chemical step in order to accomplish surface cleaning, passivation, and emitter deposition in the same PECVD reactor. We explored various plasma treatments in order to remove the native oxide layer associated to the same HIT-structure. Completely dry processed solar cells exhibit performances nearly as good as those processed with HF dip. So far, helium plasma treatments provide better results than H2 plasma treatments. Unfortunately, we encounter some issues of reproducibility with He plasma.
机译：结晶硅（C-Si）和氢化非晶硅（A-Si：H）技术的组合成为光伏应用的吸引力和经济高效的方法。 P C-Si晶片上的薄Na-Si：H层的沉积需要良好的表面钝化，例如，可以实现例如固有的A-Si：H层。 然而，需要湿化学步骤（通常是HF DIP）以除去天然氧化物层。 这项工作的目的是抑制湿化学步骤，以实现相同PECVD反应器中的表面清洁，钝化和发射极沉积。 我们探讨了各种等离子体处理，以除去与同一击球结构相关的天然氧化物层。 完全干燥的加工过太阳能电池与HF浸渍加工的那些表现出表现。 到目前为止，氦等离子体处理提供比H2等离子体处理更好的结果。 不幸的是，我们遇到了与他的血浆可重复性的一些问题。

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