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A-Si:H/C-Si HETEROJUNCTION SOLAR CELLS ON TRANSFERRED SILICON THIN FILM EPITAXIALLY GROWN ON POROUS SILICON

机译：多孔硅上生长的转移硅薄膜表观生长的A-Si：H / C-Si异质结太阳能电池

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A widespread adoption of photovoltaic power depends on silicon solar cells cost reduction. Sincesilicon consumption represents half of the finished crystalline solar module cost, thin monocrystalline layer transferprocesse is a promising approach. Based on the ELIT layer transfer process, we implement silicon thin film grown byVapour Phase Epitaxy on sacrificial porous silicon (PS) bi-layer formed on 2 inches silicon wafer. Films with globalthickness between 20 μm and 55 Am present a p/p~+ doping profile. Transfer is realized using aluminium welding onforeign substrate. The back surface contact is obtained thanks to this step. Then detachment of the film is carried out.In this paper we report results of our first solar cells with a-Si:H/c-Si heterojunction on transferred silicon thin filmepitaxially grown on porous silicon. Such solar cells on transferred epilayer with different thicknesses (20 μm - 55Am), were realized. Without texturization or particular optimization our best solar cell reaches 9.5% efficiency on 20Am thin layer with 502 mV open circuit voltage and 28.7 mA.cm~(-2) court circuit current. With a low fill factor at65.8%, series resistance seems to be the limiting parameter. Nevertheless open circuit voltage as high as 600 mV hasbeen obtained and higher efficiency are achievable. Finally feasibility of a-Si:H/c-Si heterojunction solar cell on thinfilm after transfer by aluminium welding has been demonstrated.
机译：光伏电源的广泛采用取决于硅太阳能电池的成本降低。自从 硅消耗量占完成的晶体太阳能模块成本的一半，单晶硅薄层转移 processe是一种很有前途的方法。在ELIT层转移工艺的基础上，我们实现了通过 在2英寸硅晶片上形成的牺牲多孔硅（PS）双层上的气相外延。全球电影 在20μm和55Am之间的厚度呈现p / p〜+掺杂分布。转移是通过铝焊接实现的 异物。由于该步骤，获得了背面接触。然后进行膜的分离。 在本文中，我们报告了第一个在转移的硅薄膜上具有a-Si：H / c-Si异质结的太阳能电池的结果 外延生长在多孔硅上。此类太阳能电池以不同的厚度（20μm-55 上午），实现了。无需纹理化或特定的优化，我们最好的太阳能电池在20倍的效率下可达到9.5％ 薄层，具有502 mV的开路电压和28.7 mA.cm〜（-2）的法庭电路电流。低填充系数为 65.8％，串联电阻似乎是极限参数。然而，高达600 mV的开路电压已经达到 获得了更高的效率。 a-Si：H / c-Si异质结太阳能电池在薄板上的最终可行性 已经证明了通过铝焊接转移后的薄膜。

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