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OPTIMISATION OF LOW PRESSURE-CHEMICAL VAPOUR DEPOSITED ZnO THIN FILMS AS FRONT ELECTRODE OF THIN FILM SILICON BASED SOLAR CELLS

机译：低压化学气相沉积ZnO薄膜作为薄膜硅基太阳能电池的前电极的优化

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LPCVD deposited ZnO films, treated with different plasma etching processes, were utilised as frontelectrodes for the realisation of a-Si:H solar cells. We have investigated the role of the plasma etching on the surfacemodifications of ZnO films and their effect on solar cell performances in order to optimise the ZnO/p-layer interface.The morphological surface evolution was correlated with the texture characteristic and its scattering properties. Theeffect of the different interface nature, obtained by using different etching gas types, on solar cell parameters hasbeen analysed. In particular, FF and Voc show strong dependence on the ZnO surface properties. For the same plasmaetching duration, the surface treated with Ar, giving a faster etching rate with respect to other gases, is the bestsurface to use as front electrode due to a reduced contact barrier. Our results show that the cell parametersimprovement substantially depends on the smoothening effectiveness on the ZnO surface by plasma etching processand it little or not at all depends on the nature of the etching gas.
机译：LPCVD沉积的ZnO膜经不同等离子刻蚀工艺处理后用作正面 用于实现a-Si：H太阳能电池的电极。我们研究了等离子蚀刻在表面上的作用 ZnO薄膜的改性及其对太阳能电池性能的影响，以优化ZnO / p层界面。 形态表面演变与纹理特征及其散射特性相关。这 通过使用不同的蚀刻气体类型获得的不同界面性质对太阳能电池参数的影响 被分析。特别地，FF和Voc显示出对ZnO表面性质的强烈依赖性。对于相同的血浆 蚀刻时间最好，用Ar处理过的表面相对于其他气体具有更快的蚀刻速度，是最好的 由于减少了接触势垒，因此可以用作前电极的表面。我们的结果表明，细胞参数 改善很大程度上取决于等离子刻蚀工艺对ZnO表面的平滑效果 它几乎或完全不依赖于蚀刻气体的性质。

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