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【24h】

HIGH PERFORMANCE LPCVD-ZNO APPLIED IN AMORPHOUS SILICON SINGLE-JUNCTION P-I-N AND MICROMORPH TANDEM SOLAR DEVICES PREPARED IN INDUSTRIAL KAITM-M RD REACTOR

机译：高性能LPCVD-ZNO用于工业KAITM-M研发反应器中的非晶硅单结P-I-N和微米级串联太阳能设备

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High quality LPCVD-ZnO is used as front transparent conductive oxide contact for the preparation ofamorphous silicon and Micromorph tandem devices in a single-chamber KAI?-M R&D reactor. Amorphous siliconp-i-n cells with similar stabilized efficiencies (between 8.6-8.7%) are obtained on both Asahi-U and as well onLPCVD-ZnO front contacts. Furthermore, an a-Si:H 10×10 cm~2 mini-module with an initial efficiency of 10.3% hasbeen obtained on LPCVD-ZnO. Next generation Micromorph tandem cells deposited on front LPCVD-ZnO reach aninitial efficiency of 10.8% with a reduced microcrystalline bottom cell thickness. External quantum efficiencymeasurements indicate that the advantage of LPCVD-ZnO as high performance front TCO lies in its excellent lighttrappingproperties. Applying ZnO as front TCO, a Micromorph mini-module of 9.6% initial efficiency could beprepared, with an incorporated microcrystalline bottom cell of only 1.35 μm.
机译：高质量LPCVD-ZnO用作正面透明导电氧化物触点，用于制备 单腔KAI？-M R＆D反应器中的非晶硅和Micromorph串联器件。非晶硅 在Asahi-U上以及在Aahi-U上均获得了具有相似稳定效率（8.6-8.7％）的p-i-n细胞 LPCVD-ZnO正面触点。此外，初始效率为10.3％的a-Si：H 10×10 cm〜2微型模块具有 在LPCVD-ZnO上获得。沉积在正面LPCVD-ZnO上的下一代Micromorph串联细胞到达 初始效率为10.8％，且微晶底部晶胞厚度减小。外部量子效率 测量表明，LPCVD-ZnO作为高性能前端TCO的优势在于其出色的陷光性能 特性。如果使用ZnO作为正面TCO，则初始效率为9.6％的Micromorph微型模块可以达到 制备，掺入的微晶底部电池只有1.35μm。

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