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DETAILED MODELLING OF THE EFFECTIVE MINORITY CARRIER LIFETIME AND THE OPEN-CIRCUIT VOLTAGE OF SILICON SOLAR CELLS

机译：硅太阳能电池有效少数族裔生存时间和开路电压的详细建模

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The effective lifetime of minority carriers within a silicon wafer under varying illumination can beeasily measured using a quasi-steady state photoconductance (QSSPC) instrument. Similarly, the open-circuitvoltage of a solar cell precursor can be tested as a function of light intensity using the Suns-Voc method. Because oftheir inherent ability to scan a broad range of carrier injection levels both techniques are very well adapted toinvestigate silicon materials and solar cells. Often, however, the carrier density profile is non-uniform and thiscreates a large source of uncertainty in the analysis of the lifetime or voltage data. This paper presents acomprehensive computer model capable of determining the excess carrier density profile for arbitrary recombinationrates, photon absorption, illumination intensity and temperature. Through detailed modelling, it is possible to revealthe hidden complexities of the effective lifetime and the open-circuit voltage and draw meaningful conclusions frommeasured data.
机译：硅晶片内少数载流子在不同光照下的有效寿命可以为 使用准稳态光电导（QSSPC）仪器可轻松测量。同样，开路 可以使用Suns-Voc方法根据光强度测试太阳能电池前体的电压。因为 扫描多种载流子注入水平的固有能力，两种技术都非常适合 研究硅材料和太阳能电池。但是，载流子密度分布经常是不均匀的，这 在寿命或电压数据的分析中产生了很大的不确定性来源。本文提出了一个 能够确定用于任意重组的过量载流子密度分布图的综合计算机模型 速率，光子吸收，照明强度和温度。通过详细的建模，可以揭示 有效寿命和开路电压的隐藏复杂性，并从中得出有意义的结论 测量数据。

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