• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>IEEE International Conference on Nanotechnology >Nano-scale reactive-ion dry-etching with electron-beam-baked resist
【24h】

Nano-scale reactive-ion dry-etching with electron-beam-baked resist

机译：纳米级反应离子干蚀刻用电子束烘焙抗蚀剂

获取原文
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We developed a nano-scale electron-beam (EB) lithography procedure using a high-resistance electron-beam resist for fabrication of nano-biodevices. After a conventional EB image-development procedure, we newly added a resist-baking procedure using an EB exposure with a density of over 50 mC/cm2, and then performed a reactive-ion dry-etching. We found that the EB-baked resists were highly resistant against dry-etchings, resulting in preserving a clear-pattern of the EB-lithographed image up to a sub 50 nm scales. By using this EB baking method, we successfully fabricated nano-fluidics structures, and observed the smooth-translocation of single λ DNA molecules. This nano-scale dry-etching using EB-baked resist would be a general procedure for EB lithography fabrications of DNA nano-fluidics and sensing structures.
机译：我们开发了一种使用高电阻电子束抗蚀剂的纳米级电子束（EB）光刻程序，用于制造纳米生物纤维化。在传统的EB图像显影过程之后，我们新增使用密度超过50mc / cm2的EB暴露的抗蚀剂烘烤程序，然后进行反应离子干蚀刻。我们发现EB-烘焙抗蚀剂对干蚀刻具有高度耐抗性，导致将EB-LikoStraphy图像的透明模式保持在50nm尺寸。通过使用这种EB烘焙方法，我们成功地制造了纳米流体结构，并观察到单λDNA分子的光滑倾斜。这种使用EB-Baked Dirte的纳米级干蚀刻将是EB光刻制造DNA纳米流体和传感结构的一般程序。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号