机译:具有Sio_2 / hfo_2 / hfsio门堆叠和Tan金属门的N-MOSFET的热载流子效应
机译:具有TiN / TaN / HfO_2 / SiO_2栅堆叠的外延Ge p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅极电流的直流和噪声特性
机译:在纳米级观察到的应力HfO_2 / SiO_2 MOS栅叠层的BD前后导电
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机译:栅极堆叠和通道工程:金属栅极和锗通道器件的研究。
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机译:发行商注意事项:“用于副0.1μm互补金属氧化物半导体栅极氧化物堆叠的”HFO2 / SiO2接口的热稳定性:软X射线光电子能谱“的价带和定量核心水平研究”J。苹果。物理。 96,6362(2004)