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【24h】

Induced junction III-nitride solar cells for wide band gap solar cells: Modeling charge transport and band bending in polarized material

机译：用于宽带隙太阳能电池的感应结III型氮化物太阳能电池：模拟极化材料中的电荷传输和能带弯曲

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III-N alloys of aluminum nitride, gallium nitride, and indium nitride are of high interest for solar cells as they span the majority of the solar spectrum from 6.2eV to 0.7eV. There are however challenges in creating conventional cells from these materials. Issues include an inability to produce high quality p-type material and polarization effects that block carrier transport in standard heterojunctions. We propose using an induced junction, a form of heterojunction, to create band bending and thus an effective p-n junction solely within n-type material. In this paper, we discuss theoretical equilibrium, transport, generation and recombination mechanisms within a III-N induced junction device. Recent experimental work with III-N material and device architectures will be added to help the model's accuracy.
机译：氮化铝，氮化镓和氮化铟的III-N合金对太阳能电池非常重要，因为它们覆盖了从6.2eV到0.7eV的大部分太阳光谱。然而，由这些材料制造常规电池存在挑战。问题包括无法生产高质量的p型材料，以及极化效应会阻止标准异质结中的载流子传输。我们建议使用感应结（一种异质结的形式）来产生能带弯曲，从而仅在n型材料内产生有效的p-n结。在本文中，我们讨论了III-N诱导的结装置内的理论平衡，转运，生成和重组机制。将添加有关III-N材料和设备架构的最新实验工作，以帮助提高模型的准确性。

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