首页> 中国专利> 用于多结太阳能电池的InP晶格常数的II型高带隙隧道结

用于多结太阳能电池的InP晶格常数的II型高带隙隧道结

摘要

本发明公开了包括p-掺杂的AlGaInAs隧道层和n-掺杂的InP隧道层的II型隧道结。进一步公开了在光电子电池之间并入高带隙II型隧道结的太阳能电池。

著录项

  • 公开/公告号CN103189998A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-07-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 波音公司;

    申请/专利号CN201180050146.1

  • 发明设计人 R·L·吴;D·C·罗;J·C·布瓦维尔;

    申请日2011-09-23

  • 分类号H01L31/0693(20060101);

  • 代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵蓉民;张全信

  • 地址 美国伊利诺伊州

  • 入库时间 2024-02-19 19:15:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-02-09

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/0693 申请公布日:20130703 申请日:20110923

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2013-12-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0693 申请日:20110923

    实质审查的生效

  • 2013-07-03

    公开

    公开

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