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Towards high efficiency GaAsP solar cells on (001) GaP/Si

机译：朝（001）GaP / Si上的高效GaAsP太阳能电池发展

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We demonstrate metamorphic 1.66 eV GaAsP solar cells grown by molecular beam epitaxy on exact (001) GaP/Si templates. Cascading such a cell with a 1.1 eV Si junction enables theoretical efficiencies of > 37% under the AM1.5G spectrum. We optimized the initial GaP growth on pseudomorphic GaP/Si templates to promote maximum strain relaxation with minimal nucleation of new threading dislocations. Electron beam-induced current studies of our cells reveal a threading dislocation density (TDD) of 7.8×10 cm, about 18% lower than our prior results on GaP/Si. The lower TDD has contributed to a low bandgap-voltage offset (W=E/q-V) of 0.55 V, which is 40 mV lower than our previous report, and represents significant progress for GaAsP/GaP/Si metamorphic solar cells.
机译：我们展示了在精确的（001）GaP / Si模板上通过分子束外延生长的1.66 eV GaAsP变质太阳能电池。级联具有1.1 eV Si结的此类电池，在AM1.5G频谱下可使理论效率> 37％。我们在假晶GaP / Si模板上优化了初始GaP的生长，以促进最大的应变松弛，同时使新的螺纹位错的形核最小。电子束诱导的对我们细胞的电流研究表明，线错位密度（TDD）为7.8×10 cm，比我们先前在GaP / Si上的结果低约18％。较低的TDD导致了0.55 V的低带隙电压偏移（W = E / q-V），这比我们先前的报告低40 mV，这代表了GaAsP / GaP / Si变质太阳能电池的重大进展。

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