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SPICE macro-model of magnetic tunnel nanostructure for digital applications and memory cells

机译:用于数字应用和存储单元的磁性隧道纳米结构的SPICE宏模型

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摘要

This paper presents macro-model and circuit of a spin transfer torque magnetic tunnel junction (MTJ), implemented using two voltage-dependent resistances for parallel and antiparallel layer magnetization. Macro-model suitable for use in any circuit simulators, the problems previously encountered in the convergence of SPICE-like programs eliminated. The efficiency of the model is demonstrated for a MRAM memory, simulation results showed high accuracy and adequacy of the proposed macro-model.
机译:本文介绍了自旋转移转矩磁性隧道结(MTJ)的宏观模型和电路,该结使用两个电压相关电阻实现了平行层和反平行层的磁化。适用于任何电路仿真器的宏模型,消除了以前在类似SPICE程序的融合中遇到的问题。证明了该模型对于MRAM存储器的效率,仿真结果表明所提出的宏模型具有较高的准确性和充分性。

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