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首页> 外文会议>Youth Academic Annual Conference of Chinese Association of Automation >First-Principles Studies on the Electronic Structures of Cu-doped CdIn_2S_4 Crystals
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First-Principles Studies on the Electronic Structures of Cu-doped CdIn_2S_4 Crystals

机译：关于Cu掺杂CDIN_2S_4晶体的电子结构的第一原理研究

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The electronic structures and densities of states of the spinel CdIn_2S_4 crystals have been investigated using the first-principle density function theory and pseudopotential method in this paper. The results show that CdIn_2S_4 is an indirect semiconductor with the band gap of 1.44 eV. Cu doping can narrow the band gap of CdIn_2S_4 to 0.88 eV. The calculated results indicate that Cu doping may be one of the most important factors influencing the photocatalytic activity of CdIn_2S_4 crystals.
机译：本文采用了第一原理密度函数理论和假软障方法研究了尖晶石CDIN_2S_4晶体状态的电子结构和密度。结果表明，CDIn_2S_4是具有1.44eV的带隙的间接半导体。 Cu掺杂可以缩小CDIN_2S_4至0.88eV的带隙。计算结果表明Cu掺杂可以是影响CDIN_2S_4晶体的光催化活性的最重要因素之一。

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