• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics >15 Mrad ionizing radiation dose effect on GEMINI
【24h】

15 Mrad ionizing radiation dose effect on GEMINI

机译：15 Grad电离辐射剂量对GEMINI的影响

获取原文
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

The GEMINI front-end system that will operate at LoKI experiment at ESS is expected to be exposed to radiation for a Total Ionizing Dose (TID) up to 200krad during Triple-GEM detector usage. Analyzing the effect of ionizing radiation on chip gives important information on its robustness, critical for architecture validation. After irradiation with a total dose of 15 Mrad core elements of GEMINI channels still resulted to be functional. This indicates the possibility of using such devices also in other experiments where it would be exposed to higher TID. The test also highlighted few critical points of the architecture that could be starting point to improve Triple-GEM front-end system radiation hardness.
机译：预计将在ESS的LoKI实验中运行的GEMINI前端系统在使用Triple-GEM检测器期间会暴露于最高200krad的总电离剂量（TID）的辐射下。分析电离辐射对芯片的影响可提供有关其鲁棒性的重要信息，这对于架构验证至关重要。总剂量15 Mrad的GEMINI通道核心元素照射后，仍然可以正常工作。这表明也可能在其他实验中使用此类设备，因为这些设备可能会暴露于较高的TID。该测试还强调了体系结构中的几个关键点，这些关键点可以成为改善Triple-GEM前端系统辐射硬度的起点。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号