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首页> 外文会议>IEEE International Symposium on On-Line Testing and Robust System Design >Variation-aware Fault Modeling and Test Generation for STT-MRAM
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Variation-aware Fault Modeling and Test Generation for STT-MRAM

机译：STT-MRAM的变化感知故障建模和测试生成

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Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory (STT-MRAM) offers high density, non-volatility, scalability, high endurance and CMOS compatibility, making it a promising non-volatile memory (NVM) technology. However, due to the unique magnetic fabrication processes, different bit-cell architecture and periphery circuitry, they are susceptible to different manufacturing defects and faults compared to conventional CMOS-based memories. In this paper, a detailed variation-aware defect injection is performed based on the magnetic devices and layout characteristics of STT-MRAM and unique fault models are constructed for these memories. Based on the derived fault models and behaviors, efficient test algorithms are developed to fully cover these faults.
机译：旋转转移扭矩磁随机存取存储器（STT-MRAM）提供高密度，不挥发性，可扩展性，高耐久性和CMOS兼容性，使其成为有前途的非易失性存储器（NVM）技术。然而，由于独特的磁制造工艺，不同的位电池架构和外围电路，与传统的基于CMOS的存储器相比，它们易于不同的制造缺陷和故障。在本文中，基于STT-MRAM的磁性装置和布局特性来执行详细的变化感知缺陷注射，并且为这些存储器构造独特的故障模型。基于导出的故障模型和行为，开发了高效的测试算法以完全涵盖这些故障。

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