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首页> 外文会议>Photomask and X-Ray Mask Technology II >Delay time stable chemically amplified e-beam negative tone resist for optical mask a
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Delay time stable chemically amplified e-beam negative tone resist for optical mask a

机译：光学掩模A的延迟时间稳定的化学放大电子束负性光刻胶

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Abstract: The newly developed e-beam negative tone AZ EX resist series has been designed for optical mask applications to produce 64MB DRAMs and related microdevices. The chemistry of AZ EX resists is based on chemical amplification employing the three major components: novolak, crosslinker, and radiation sensitive acid generator. The formulations have been optimized to diminish handicaps of most standard chemically amplified resists, such as delay time instability and line width variations upon post exposure bake temperature changes. The sensitivity of AZ EX series are smaller than 1.0 $mu@C/cm$+2$/ at Vacc $EQ 10 kV featuring a delay time stability of more than 24 hours with $LS 5% line width error at 1.25 $mu@m pattern design. Using standard process conditions, the line width variations versus post exposure bake temperature changes are about 0.09 $mu@m/$DGR@C in EX22-N, and 0.07 $mu@m/$DGR@C in EX24-N, respectively.!18
机译：摘要：新开发的电子束负性AZ EX抗蚀剂系列已设计用于光掩模应用，以生产64MB DRAM和相关的微器件。 AZ EX抗蚀剂的化学成分基于化学放大，采用了三个主要成分：酚醛清漆，交联剂和辐射敏感型产酸剂。配方已经过优化，以减少大多数标准化学放大抗蚀剂的缺陷，例如延迟时间不稳定性和曝光后烘烤温度变化时的线宽变化。在Vacc $ EQ 10 kV时AZ EX系列的灵敏度小于1.0 $ mu @ C / cm $ + 2 $ /，具有超过24小时的延迟时间稳定性，在1.25 $ mu @时，LS线宽误差为5％。米图案设计。使用标准工艺条件，线宽变化与曝光后烘烤温度变化的关系在EX22-N中分别约为0.09μm@ m / $ DGR @ C，在EX24-N中约为0.07μm/m/$DGR@C。 ！18

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