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Recent advances in mask making technology at ATT

机译：AT＆T口罩制造技术的最新进展

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Abstract: As the design rules to make integrated circuits with features less than 0.25 $mu@m are emerging, it appears that conventional deep UV photolithography will not be able to support these new generation IC technologies. There are however other possibilities such as enhanced optics, proximity x-ray and projection electron-beam which extend the state of lithography below 0.25 $mu@m. AT&T is in a unique position to evaluate these new technologies since we have active programs in each of these areas. It is clear that the success of any of these new techniques is directly connected to the ability to manufacture the corresponding mask.!23
机译：【摘要】随着设计规则的出现，使得集成电路的特征小于0.25μm@m，似乎传统的深紫外光刻将无法支持这些新一代的集成电路技术。然而，还有其他可能性，例如增强的光学器件，近距离X射线和投影电子束，它们将光刻状态扩展到0.25μm以下。 AT＆T在评估这些新技术方面处于独特的位置，因为我们在每个领域都有活跃的计划。显然，这些新技术中任何一项的成功与制造相应面罩的能力直接相关！23

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