MgOターゲットRFマグネトロンプラズマにおける高エネルギー酸素負イオンの空間分布計測

机译：MgO靶RF磁控血浆中高能氧负离子的空间分布测量

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次世代メモリとして研究されている磁気抵抗メモリ（MRAM）では、数nmの薄い酸化物バリア層がマグネトロンスパッタによって形成される。この時、ターゲットにおいて発生する高エネルギー粒子が膜表面にダメージを与え、さらには高エネルギー粒子の空間的分布が膜特性の面内均一性にも大きく影響を及ぼすことが考えられる。

机译：在所研究的磁阻存储器（MRAM）中，通过磁控溅射形成几NM的薄氧化物阻挡层。此时，可以想到，在目标中产生的高能粒子损坏膜表面，甚至高能粒子的空间分布也大大影响了膜特性的面内均匀性。

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来源
《日本磁気学会学術講演会》|2010年||共1页
会议地点
作者
後藤和也; 石島達夫; 森田正;
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正文语种
中图分类 TM27-532;
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