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AFORS-HET simulation study of HIT solar cells: Significance of inversion layer

机译：HIT太阳能电池的AFORS-HET模拟研究：反型层的意义

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The energy band diagram of the HIT solar cell obtained using AFORS-HET simulations reveals that a p-type inversion layer is induced in the n-type c-Si near the front hetero-interface. The HIT solar cell actually behaves like a "pseudo" p-n homojunction solar cell, in which the p-type inversion layer acts as the cell emitter and controls the performance of the solar cell. The formation of the inversion layer is controlled by the Fermi level of the p-Si:H layer, which is adjustable by varying its doping level. The study also suggests that the work function of the front TCO layer should be keep as high as possible for achieving high conversion efficiency.
机译：使用AFORS-HET模拟获得的HIT太阳能电池的能带图显示，在前异质界面附近的n型c-Si中诱导了p型反型层。 HIT太阳能电池实际上的行为类似于“伪” p-n同质结太阳能电池，其中p型反型层充当电池发射极并控制太阳能电池的性能。反转层的形成由p-Si：H层的费米能级控制，该费米能级通过改变其掺杂水平来调节。研究还建议，为了获得高转换效率，应尽可能保持前TCO层的功函数。

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