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首页> 外文会议>International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology >Electro-Thermal Analysis of MOSFET Amplifier circuit by the SETD Model
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Electro-Thermal Analysis of MOSFET Amplifier circuit by the SETD Model

机译：通过SETD模型对MOSFET放大电路进行电热分析

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This paper introduces the simulation of the MOSFET common-source amplifier circuit, and provides a method to jointly solve the physical model of the device and the external circuit to simulate the transient electro-thermal characteristics of a single device in the actual operation of the circuit. The spectral element time-domain (SETD) method is used to solve the coupling drift-diffusion model equation by using the electronic quasi-fee potential, the hole quasi-Fei potential and the potential as variables. The corresponding current density and electrical strength distributed in the device can be used to couple the heat transfer equation. Furthermore, the Kirchhoff laws should be satisfied when the MOSFET device is inserted in the circuit. The numerical results demonstrate the validity of the proposed method.
机译：本文介绍了MOSFET共源放大电路的仿真，并提供了一种方法来共同解决器件的物理模型和外部电路，以仿真单个器件在电路实际运行中的瞬态电热特性。 。利用谱元时域（SETD）方法，以电子准费电势，空穴准费费电势和电势为变量，求解耦合漂移扩散模型方程。设备中分布的相应电流密度和电气强度可用于耦合传热方程。此外，当将MOSFET器件插入电路时，应满足基尔霍夫定律。数值结果证明了该方法的有效性。

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