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奚雪梅; 王阳元;
无;
机译:非对称LDD和LDS MOSFET器件中热载流子效应的计算机模拟
机译:N沟道LDD器件中沟道热电子降解与辐射诱导界面俘获的相关性
机译:由于过程参数导致的I–V特性变化是为LDD MOSFET器件的组件变化建模的基础
机译:短几何LDD和短沟道折叠MOSFET电气特性的分析模型
机译:MOSFET器件电热性能耦合的新仿真模型。
机译:口服LDD175对坦索罗辛和非那雄胺在前列腺增生大鼠模型中的累加作用
机译:在不同工作条件下LDD短沟道和窄宽度MOSFET的参数提取
机译:全耗尽sOI(绝缘体上硅)mOsFET的短沟道效应
机译:具有具有LDD区域的N沟道薄膜晶体管和具有LDD区域的P沟道薄膜晶体管的半导体器件
机译:具有LDD n沟道晶体管和非LDD p沟道晶体管的CMOS集成电路器件
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