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スピン軌道トルクを用いた面内磁化型スピン流磁気メモリの高速書き込み特性比較

机译:使用旋转轨迹扭矩平面内磁化自旋流量磁存储器的高速写性特性比较

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摘要

近年、エッジで使用するIoT/AIデバイスの低消費電力化のため、高速不揮発性メモリが求められている。スピン軌道トルク(SOT:Spin Orbit Torque)を用いたスピン流磁気メモリは、その高速動作からSRAMを代替する不揮発性メモリの候補として考えられている[1]。
机译:近年来,需要高速非易失性存储器来降低边缘使用的IOT / AI设备的功耗。使用自旋轨道扭矩(SOT:旋转轨道扭矩)的旋转流量磁存储器被认为是非易失性存储器的候选者,其从高速操作替代SRAM [1]。

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