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首页> 外文期刊>日本応用磁気学会学術講演概要集 >誘導スピンフロップモードを用いたトグルMRAMの書き込み磁場の低減及び書き込みマージンの増大
【24h】

誘導スピンフロップモードを用いたトグルMRAMの書き込み磁場の低減及び書き込みマージンの増大

机译：使用感应自旋模式降低写磁场并增加触发MRAM的写容限

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書き込み電流の低減はMRAMの重要課題である。 しかしながらAsteroid MRAMはMbit級MRAMに対する選択書き込みマージンの確保が難しく、bitサイズ又はスイッチング磁場(H{sub}(sw))を減少させると一層にマージン確保が困難になる。 一方Toggle MRAMはマージン確保が容易であるが、H{sub}(sw)＝H{sub}(flop)～(H{sub}k·H{sub}s){sup}0.5，マージンはH{sub}s-H{sub}(flop) (H{sub}(flop)，H{sub}k，H{sub}sはそれぞれ積層フェリ(SAF)自由層のスピンフロップ磁場、異方性磁場、及び飽和磁場）で決定される為H{sub}(sw)が大きく、bitサイズ又はH{sub}(flop)を減少させると同様にマージンが減少する問題がある。 我々はToggle MRAMの高書き込み磁場問題を大きく改善できるフリー層を開発したので報告する。
机译：降低写入电流是MRAM的重要问题。然而，对于小行星MRAM而言，难以确保针对Mbit类MRAM的选择性写裕度，并且当减小比特大小或切换磁场（H {sub}（sw））时，变得难以确保裕度。另一方面，使用Toggle MRAM可以轻松确保裕量，但是H {sub}（sw）= H {sub}（flop）〜（H {sub} k·H {sub} s）{sup} 0.5，裕度为H { H {sub}（触发器）（H {sub}（触发器），H {sub} k，H {sub} s分别是自旋翻转磁场，各向异性磁场和叠层铁氧体（SAF）自由层的饱和度。由于H {sub}（sw）由磁场决定，因此H {sub}（sw）大，并且存在随着位大小或H {sub}（flop）减小而余量减小的问题。我们报告了自由层的发展，该自由层可以极大地改善Toggle MRAM的高写入磁场问题。

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