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【24h】

スピン軌道トルクを用いたスピン流型磁気メモリの書き込み特性

机译:使用旋转轨迹扭矩写入旋转流型磁存储器的特性

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摘要

近年、エッジで使用するIoT/AIデバイスの低消費電力化を実現するため、待機電力が発生する揮発性のSRAMラストレベルキャッシュを代替する不揮発性メモリが求められている。スピン軌道トルク(SOT:Spin Orbit Torque)を利用したスピン流型磁気メモリは、その高速動作からSRAMを代替する不揮発性メモリの候補として考えられている[1, 2]。
机译:近年来,为了实现在边缘使用的IOT / AI设备的低功耗,需要替代由待机电源产生的易失性SRAM Laste级别缓存的非易失性存储器。使用旋转轨道扭矩(SOT:旋转轨道扭矩)的旋转流动磁存储器被认为是非易失性存储器的候选者,其从其高速操作替代SRAM [1,2]。

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