HfSiO_xゲート AlGaN/GaN MOS-HEMTのゲート制御性

机译：HFSIO_X门AlGaN / GaN MOS-HEMT的栅极可控性

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【はじめに】 GaN系HEMTは、更なる高速化・高出力化が要請されている。大振幅動作時のゲート漏れ電流制御や経時劣化性の点から、絶縁ゲート構造が望ましく、MIS 構造の実現には、良好なMIS界面特性が必須である。また、高周波増幅応用にはhigh-κ膜の適用が望ましい。これまで、我々は、従来用いられてきたAl_2O_3(κ=8.5)よりも高い誘電率を持つ HfSiOx(κ=13)をゲート酸化膜に用いた MOS-HEMT において、誘電率を反映した伝達特性とHfSiOx/AlGaN 界面の低い界面準位密度について報告した[1,2]。そこで、本研究ではHfSiOx/AlGaN/GaN MOS-HEMTのゲート制御性の評価を行ったので報告する。

机译：[介绍]要求GaN的HEMT进一步加速和高功率。从大栅极漏电流控制和幅度操作时的延时劣化的角度来看，期望绝缘栅极结构，并且良好的MIS接口特性对于实现MIS结构是必不可少的。另外，希望将高κ膜施加到高频放大应用。到目前为止，我们使用高于Al_2O_3（κ= 8.5）的介电常数，在MOS-HEMT中使用高于Al_2O_3（κ= 8.5）的介电常数，在MOS-HEMT中具有传递特性。报告的HFSIOx / AlGaN的低界面液位密度接口[1,2]。因此，在本研究中，我们评估了如报道的HFSIOx / AlGaN / GaN MOS-HEMT的栅极可控性。

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《》||12.167-12.167|共1页
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越智亮太; 前田瑛里香; 生田目俊秀; 塩崎宏司; 橋詰保;
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