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一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件

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本实用新型公开了一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS‑HEMT器件，包括：位于Al₂O₃衬底之上的AlN过渡层；位于所述AlN过渡层之上的多层缓冲结构；位于多层缓冲结构之上的AlGaN阻挡层；位于所述AlGaN阻挡层之上的GaN帽层；位于所述第一GaN层之上且向上穿过所述AlGaN阻挡层以及GaN帽层的源极和漏极；位于所述GaN帽层、源极和漏极之上的栅极氧化层；位于所述栅极氧化层之上的异质栅极结构。本实用新型能够提高沟道驱动电流，可对阈值电压进行灵活调整、能防止沟道载流子迁移率的恶化。

著录项

公开/公告号CN210073863U

专利类型实用新型
公开/公告日2020-02-14

原文格式PDF
申请/专利权人中证博芯(重庆)半导体有限公司;
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申请/专利号CN201921823837.0
发明设计人李迈克;
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申请日2019-10-28
分类号H01L29/423(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/778(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/335(20060101);
代理机构50213 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人霍维英
地址 401520 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
入库时间 2022-08-22 12:35:25

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-06-30

专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/423 登记生效日:20200611 变更前: 变更后: 申请日:20191028

专利申请权、专利权的转移
2020-02-14

授权

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