f_(max)为30.8GHz的超薄Al_2O_3绝缘栅GaN MOS-HEMT器件(英文)

郝跃; 岳远征; 冯倩; 张进城; 马晓华; 倪金玉

首页> 中文期刊> 《半导体学报》 >f_(max)为30.8GHz的超薄Al_2O_3绝缘栅GaN MOS-HEMT器件(英文)

f_(max)为30.8GHz的超薄Al_2O_3绝缘栅GaN MOS-HEMT器件(英文)

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

报道了一种利用原子层淀积(ALD)生长超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaNMOS-HEMT器件栅长1μm,栅宽120μm,栅压为+3.0V时最大饱和输出电流达到720mA/mm,最大跨导达到130mS/mm,开启电压保持在-5.0V,特征频率和最高振荡频率分别为10.1和30.8GHz.

著录项

来源
《半导体学报》 |2007年第11期|1674-1678|共5页
作者
郝跃; 岳远征; 冯倩; 张进城; 马晓华; 倪金玉;
展开▼
作者单位

西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
A1GaN/GaN; MOS-HEMT; 超薄Al2O3;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究 [J] . 刘林杰 ,岳远征 ,张进城 . 物理学报 . 2009,第001期
2. f_T/f_(max)>230/290GHZ的超薄势垒InAlGaN/AlN/GaN HEMTs [J] . 朱广润 ,张凯 ,孔月婵 . 固体电子学研究与进展 . 2016,第2期
3. 采用AlN绝缘栅的AlGaN/GaN凹栅槽结构MISHEMT器件 [J] . 黄俊 ,张宗贤 ,黄峰 . 科技创新导报 . 2012,第004期
4. f_(max)为100GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(英文) [J] . 李献杰 ,曾庆明 ,周州 . 半导体学报：英文版 . 2005,第11期
5. 绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术 [J] . 黄森 ,王鑫华 ,康玄武 . 电力电子技术 . 2017,第008期
6. 凹栅型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件的功率特性研究 [C] . 杨凌 ,贺强 ,郝跃 . 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2010
7. 凹槽栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件特性研究 [A] . 何文龙 . 2015

f_(max)为30.8GHz的超薄Al_2O_3绝缘栅GaN MOS-HEMT器件(英文)

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅