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ダイヤモンドSchottky-pn ダイオードの低温における電気特性のn 層膜厚依存性

机译：金刚石肖特基-PN二极管低温下电性能的N层膜厚度依赖性

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ダイヤモンドは高い絶縁破壊電界や高い熱伝導率等の優れた材料物性から究極の半導体といわれ、次世代パワーデバイス材料として注目されている。一方で、p,n 型の不純物準位が深いことから室温ではキャリアが励起しにくいという欠点がある。この欠点を克服するために、高濃度不純物ドーピングによるホッピング伝導を用いた試みがなされている。しかし、接合構造を形成した際に作られるホッピング伝導層からバンド伝導層へのキャリアの伝導機構は未だ明らかになっていない。そこで、前回はホッピング伝導層とバンド伝導層の接合構造を持ったダイヤモンドSchottky-pn ダイオード(SPND)の電気特性の温度依存性を調べることでこの伝導機構を解明した。今回はSPND の低温における電気特性のn 層膜厚依存性を研究した。
机译：钻石是高绝缘破坏电场和高来自优异材料特性的极限半导体，例如导热率据说，作为下一代功率器件材料它准备好了。另一方面，p和n型杂质水平深载体在室温下难以激发有一个缺点。克服这个缺点，高浓度杂质掺杂的跳跃传导尝试使用。但是，关节形成结构时跳跃导电层载带导电层的载波传导机制仍然是它尚未透露。所以，最后一次跳跃已经存在导电层和带传导层的共轭结构钻石肖特基-PN二极管（SPND）这种传输通过检查电气特性的温度依赖性导体被阐明。这次在SPND的低温下研究了电学特性的N层膜厚度依赖性。

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