SiP化合物によるリン添加CZ-Si結晶育成

机译：SIP化合物CZ-Si晶体发育的磷添加

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n形のシリコン単結晶は、太陽電池や縦型Siパワーデバイスの基板としての需要が高まっている。n形結晶を育成するために用いられているドーパントはリン（P）、As、Sbが用いられるが、共通することはp形結晶に用いられるBに比べて蒸発しやすいことである。本研究では、Pの蒸発および発火性を考慮し、Siとの中間化合物であるSiP（融点1131°C）を添加したP添加Si単結晶を育成し、結晶中のP濃度分布について検討した。

机译：N形硅单晶具有增加的需求作为太阳能电池和垂直SI功率器件的基板。虽然在用于生长N型晶体的掺杂剂中使用磷（P），如和Sb，但与用于p型晶体的B相比，常见的是它容易蒸发。在本研究中，考虑到P的蒸发和烧制，加入具有Si的中间化合物的Sip（熔点1131℃）的P掺杂Si单晶，并检查晶体中的P浓度分布。

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来源
《応用物理学会学術講演会;応用物理学会》|2020年|12.205-12.205|共1页
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作者
釣将太朗; 太子敏則; 渡辺雄太; 刈谷宣政;
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