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Analysis of FSRAM Single Bit Failures Due to Unique Dislocations

机译:由于独特的脱位,FSRAM单位失败的分析

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摘要

Temperature sensitive single bit failures at wafer level testing on 0.4μm Fast Static Random Access Memory (FSRAM) devices are analyzed. Top down deprocessing and planar Transmission Electron Microscopy (TEM) analyses show a unique dislocation in the substrate to be the cause of these failures. The dislocation always occurs at the exact same location within the bitcell layout with respect to the single bit failing data state. The dislocation is believed to be associated with buried contact processing used in this type of bitcell layout.
机译:分析了0.4μm快速静态随机存取存储器(FSRAM)设备上的晶圆级测试的温度敏感单位故障。顶部下降辅助和平面透射电子显微镜(TEM)分析显示衬底中的独特位错是这些故障的原因。位错始终发生在位于位于单位失败的数据状态的位单元布局内的完全相同的位置。据信脱位被认为与这种类型的位线布局中使用的埋地接触处理相关联。

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