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Design Optimization of 500V Lateral SOI High Speed Diods

机译：500V侧向SOI高速二极管的设计优化

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First recovery SOI diodes have been developed for 500V 1A 1 chip inverter IC application, adopting reduced emitter efficiency. Since lifetime control process is not adopted the diode fabrication process is completely compatible with those of conventional LSIs. It was found that the ruggedness depends on the anode structure. The largest current ocntrollability was achieved for the diodes, where the anode emitter ocnsistes of merged p-schottky and p+ ohmic contact and, for the cathode emitter, p+ diffusions are formed in the n-type cathode layer. The developed 1A rated diode controls 4 ampere current and achieves 300nsec reverse recovery time under the condition of 13A/mivs di/dt and 300V applied voltage.
机译：首次恢复SOI二极管已为500V 1A 1芯片逆变器IC应用开发，采用减少发射极效率。由于不采用寿命控制过程，因此二极管制造过程与传统LSI的那些完全兼容。发现坚固性取决于阳极结构。为二极管实现最大电流Ocntrollability，其中合并的P-Schottky和P +欧姆接触的阳极发射器遮光器，并且对于阴极发射器，P +扩散在n型阴极层中形成。开发的1A额定二极管控制4个安培电流，在13A / MIVS DI / DT和300V施加电压的条件下实现300nsec反向恢复时间。

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