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Design Optimization of 500V Lateral SOI High Speed Diods

机译：500V横向SOI高速二极管的设计优化

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First recovery SOI diodes have been developed for 500V 1A 1 chip inverter IC application, adopting reduced emitter efficiency. Since lifetime control process is not adopted the diode fabrication process is completely compatible with those of conventional LSIs. It was found that the ruggedness depends on the anode structure. The largest current ocntrollability was achieved for the diodes, where the anode emitter ocnsistes of merged p-schottky and p+ ohmic contact and, for the cathode emitter, p+ diffusions are formed in the n-type cathode layer. The developed 1A rated diode controls 4 ampere current and achieves 300nsec reverse recovery time under the condition of 13A/mivs di/dt and 300V applied voltage.
机译：已开发出首款用于500V 1A 1芯片逆变器IC应用的恢复SOI二极管，其发射极效率降低。由于未采用寿命控制工艺，因此二极管制造工艺与常规LSI完全兼容。发现坚固性取决于阳极结构。二极管实现了最大的电流可阻塞性，其中阳极发射极由合并的p肖特基和p +欧姆接触占据，而对于阴极发射极，在n型阴极层中形成p +扩散。在13A / mivs di / dt和300V施加电压的条件下，开发的额定1A二极管可控制4安培电流并实现300nsec反向恢复时间。

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